This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS51116:DDR4的最大电流

Guru**** 2582405 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS51116

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/987193/tps51116-maximum-current-for-ddr4

器件型号:TPS51116

Team 大家好、我们想确认 DDR4配置允许的最大电流(1.2V 输出)。

谢谢你。

-Mark

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Mark、您好!

    TPS51116使用外部 FET 实现1.2V 输出。 因此、最大电流主要受 FET 功能的限制。 通常可使用25~30A 作为基准。

    此致、

    Weidong

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    我们是否为此推荐了 FET?

    谢谢你

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Mark、您好!

    这取决于您设计的电流以及输入电压。 您可以查看 TI 的电源块产品(CSD86350/87350/87353)、了解它们是否可以满足您的需求。

    此致、

    Weidong

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、Weidong、更具体一些。 如果输入电压为12V、则这三种电压更适用。

    谢谢你。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Mark、您好!

    这三种器件都可以正常工作、CSD87353应该是性能最高的器件。

    此致、

    Weidong

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好 ,魏东,跟进问题

    与之配合使用。 对于1.2V 的输出电压(VSW)、我们应该为输出电感器使用什么电感值。 对于 VIN 和 Vsw、您建议的去耦电容值是多少。 我们是否仅使用 VDDQSET 控制输出电压?

    非常感谢

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Mark、您好!

    您可以使用以下链接中的参考设计。 如果您需要高于15A 的电流、则可以选择300~500nH 电感器。 您可以使用类似的 VIN 去耦电容器。 是的、输出电压由 VDDQSET 控制。

    此致、

    Weidong

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Weidong、只是确认参考设计链接吗?

    谢谢你。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Mark、您好!

    请参阅以下内容:

    https://www.ti.com/lit/ug/sluu202a/sluu202a.pdf?ts=1618866020926&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Ftool%252FTPS51116EVM-001

    此致、

    Weidong