This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LMG3425R030:半桥 GaN 布局

Guru**** 1125910 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/983446/lmg3425r030-half-bridge-gan-lay-out

器件型号:LMG3425R030

图11.1和11.2显示了开关节点平面与电源返回平面重叠。 但是、我们知道开关节点是一个噪声平面、可能会使其下方的接地平面变脏。 到目前为止、我从未在我的设计中重叠过我的开关节点。 在数据表文档中、它指出"最大限度地减少开关节点平面与其他电源平面和接地平面之间的重叠。" 我从这一报价中了解到,重叠是有意进行的。 其原因可能是高频信号遵循这条重叠路径。 如果是、它开始保持在哪个频率之上? 如果不是,在一定程度上,开关节点和接地平面重叠的原因是什么?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    感谢您提出问题。 我们确实希望开关节点和接地层之间的最小重叠。 但是、布局中存在一些折衷。 在布局中、我们希望接地回路直接位于器件的下方、以便有最大的磁通消除、从而实现最小的电源环路。 更宽的接地回路将导致更小的电源环路、但接地和开关节点之间的重叠更大、这将增加寄生电容。

    简而言之、我们希望在保持较小电源环路电感的同时尽可能减小重叠。 希望这澄清了您的问题、如果您有进一步的疑虑、请告知我们。

    此致、

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您能量化一下吗? 即、作为重叠面积(和层间厚度)的函数、环路电感和寄生电容之间存在比率?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    它很难量化、但我可以在这里展示一个示例。 此处的黄色迹线是接地回路迹线、红色迹线是开关节点。 您可以看到、它们之间存在一些重叠、但我们将其控制在最小值、因此增加的附加寄生电容极小。  

    您可以参阅我们的第一代或第二代子卡 EVM 布局以了解相关信息。 希望这对您有所帮助。

    此致、

    张一一