[参考译文] CSD19538Q3A：饱和还是线性区域？

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/989954/csd19538q3a-saturation-or-linear-zone

器件型号：CSD19538Q3A

您好！

我对 MOSFET 用于开关时的工作区域有疑问。

我认为 MOSFET 应在导通时用于饱和区(因此、当漏极和源极之间的 R = Rdson 时)、就像使用 MOSFET 一样、在线性区中、漏极和源极之间的 R 越大、因此损耗越大、虽然我不确定它是否可以用于线性(或电阻)区域、因为 MOSFET 上的损耗较低、因此 MOSFET 使用饱和条件进行信号放大。但我不确定这一点。

请帮我解决上述问题。

谢谢！

Antonio

4 年多前

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2390735 points

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您好、Antonio、

感谢您的查询。 MOSFET 的工作区域定义如下：

–线性区域、其中 Vds < Vgs−Vth (恒定导通电阻模式、功率损耗= I^2 x Ron)

–饱和区域、其中 Vds > Vgs−Vth (线性模式、功率损耗= Vds x ID)

我希望这能解答您的问题并澄清 MOSFET 的工作模式。

谢谢、

John Wallace

TI FET 应用

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2390735 points

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尊敬的 John：

感谢您的回答、我只剩下一点疑问：
因此、在导通状态下应使用 MOSFET 进行开关的区域是饱和区域、MOSFET 上的损耗更低(漏极和源极之间的 R 可能最低)、对吧？
BR、

Antonio

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2390735 points

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您好、Antonio、

有时术语可能会令人困惑。如我之前的响应中所示、MOSFET 在线性区域或恒阻模式下运行时导通(增强)。 VDS 和 ID 之间存在线性关系：VDS = ID x Ron、功率耗散为 ID^2 x Ron。

在饱和区域中、通常称为线性模式、ID 随着 VDS 的增加而平坦、如图所示、功率耗散为 ID x VDS。 MOSFET 已饱和、VDS 的增加不会导致 ID 的增加。

TI 功率 MOSFET 在 VGS >> VTH 下的线性区域中指定了导通电阻。

谢谢、

John

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[参考译文] CSD19538Q3A：饱和还是线性区域？