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器件型号:BQ40Z60 尊敬的 TI 团队:
看起来 REGN 的输出电压大约为6V、我需要更高的 VGS 电压来驱动高侧 MOSFET 以确保低 RDS on、因此我想使用外部电源电压而非 REGN 为自举电容器充电、 是否可以使用外部电源电压更改 REGN?
谢谢
-亨德拉
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尊敬的 TI 团队:
看起来 REGN 的输出电压大约为6V、我需要更高的 VGS 电压来驱动高侧 MOSFET 以确保低 RDS on、因此我想使用外部电源电压而非 REGN 为自举电容器充电、 是否可以使用外部电源电压更改 REGN?
谢谢
-亨德拉