请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：BQ77915 主题中讨论的其他器件： INA300
您好！
我计划使用 BQ77915中的 LD 引脚来驱动 INA300中的锁存引脚。
1/是否可以使用 LD 引脚来驱动 P-FET？ (LD 引脚作为 TI 参考设计连接到 PACK-至450k RES)。 请参阅随附的原理图。
2在 BQ77915数据表的第18页中、它提到 LD 引脚 在 正常运行条件下保持开漏状态。 当发生故障 且外部负载仍然存在时、LD 引脚将为
外部上拉至高电平。 当负载移除时、到 VSS 的内部高阻抗路径会将 LD 引脚拉至 GND 以实现 TLD_DEG (~1.5ms)。 我是不是这样、LD 引脚在返回开漏状态之前连接到 GND 的持续时间为1.5ms？
3/我测量了 LD 引脚上相对于 BQ77915EVM 板上 GND 引脚的电压、发现电压每 从电池组汲取1A 电流、就会增加16mV (在 BQ77915EVM 板上、RLD = 470k 时)。 该电压意味着什么？它只是泄漏电流在 LD 引脚和 GND 上产生高阻抗电压吗？
谢谢、
VT
