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[参考译文] BQ25792EVM：发货 FET 位置

admin
Guru**** 2467970 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25792EVM, BQ25792

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/986020/bq25792evm-ship-fet-location

器件型号：BQ25792EVM
主题中讨论的其他器件： BQ25792

查看 BQ25792EVM、运输 FET 的源极通过2个10uF 电容器(C38和 C39)连接到 BAT
但是、在 BQ25792的数据表中、图9-1显示2个10uF FET 应连接到 FET 的漏极、即运输 FET 的源极连接到 BAT、且不包含任何电容器。

请确认1x 10uF 电容器的放置位置。

此外、运输 FET 的 RDS 是否有任何限制？ 我们建议使用30m Ω 的电阻器？

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    TI__Guru**** 2467970 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    如果 shipFET 的 Rdson 较低(< 50m Ω)、且靠近 IC BAT 引脚放置、则可以将电容器放置在 FET 的漏极侧。   否则、应在 FET 的源极侧至少放置10uF、而在漏极侧至少放置10uF。  我们的所有测试都是在 EVM 上完成的、这两个10uF 电容器靠近 IC、而不是 FET 的漏极。

    此致、

    Jeff

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    TI__Guru**** 2467970 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    那么、您是否会说将这些放置在靠近电路板、源极端子上是"安全"的？

    从您的响应来看、在漏极上放置10uF 存在限制、即 Rdson 必须为低电平。 在源极端子上放置没有限制、因此我建议将其放置在源极端子上。 请确认。

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    TI__Guru**** 2467970 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    是的。  我们在电池电容器靠近 FET 源极侧的 IC BAT 引脚的情况下对器件进行了验证。

    此致、

    Jeff