[参考译文] LM5175：我对 LM5175和双功率 MOSFET 有一些疑问。

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器件型号：LM5175
主题中讨论的其他器件： CSD87353Q5D

大家好！我对 LM5175和双功率 MOSFET 有一些疑问。

我使用 LM5175 IC 开发降压/升压电源模块。这种情况非常好。

输入：9V~36V

2.输出电压：12V

输出电流：5A

4.模式：DCM +断续启用。

5.软件频率：330KHz

**我必须设计主板，我将在板上设计 LM5175电源系统。

我设计的主板尺寸是一种小型封装。因此、应使用小尺寸组件来减小主板尺寸。

1.我可以在 LM5175电源原理图中使用双功率 MOSFET 吗？

2.是否有任何双 MOSFET (TI 供应商)产品值得推荐？

**目前，我的 LM5175原理图在主板中设计了单个功率 MOSFET *4 EA。

因此、我希望将单功率 MOSFET 更换为双功率 MOSFET (TI 供应商)

如果你给我一个答复，我真的很感激。

谢谢！

4 年多前

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2380860 points

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Yoonju 您好！

1、只要您确保封装能够处理功率耗散、就可以使用2个双 MOSFET。

让我将此问题发送给 TI MOSFET 专家。

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2380860 points

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Yoonju、

我们的应用专家将一直到星期一、届时他将了解这一点。

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2380860 points

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Yoonju、您好！

再次感谢您关注 TI 产品。对于降压 FET、我们产品系列中唯一的双路60V 器件采用 SO8封装、导通电阻对于您的应用而言过高。对于较低电压的升压 FET、我们提供了采用半桥配置并具有堆叠裸片的电源块。假设这些 FET 大致对称(导通电阻相同或几乎相同)、唯一可能起作用的产品是具有典型2.8m Ω 顶部 FET 和2.1m Ω 底部 FET 的 CSD87353Q5D。这比 LM5175 EVM 上使用的 FET 高得多的导通电阻、会导致不可接受的功率损耗。

电源块已针对同步降压应用进行了优化和特性化。在采用 LM5175控制器的降压/升压转换器中、尚未对其进行评估。我们已使用该控制器测试了一些分立式 FET。由于我们的 FET 开关速度非常快、并且具有一个"小尺寸"体二极管、因此我们看到负电压尖峰超过了控制器的绝对最大额定值。为了保护控制器、必须添加外部组件以降低 FET 的速度、从而增加功率损耗、从而降低效率并减少散热。

话虽如此、我相信我们没有适合您应用的好双 FET 解决方案。

谢谢、

John Wallace

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