[参考译文] LMG3425R030：辅助电源电流将随着旁路电容器的增大而增大

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器件型号：LMG3425R030
主题中讨论的其他器件： LMG342X-BB-EVM

您好！

我在全桥配置中使用 LMG3425R030。我有一个靠近半桥的旁路电容器、它是136nF、另一个较大的旁路电容器与半桥相对较远。当我将较大的旁路电容增加至高于1uF 时、12V 辅助电源电流将增加0.1A。在我打开主电源后、辅助电源电流将下降回正常值。随着开关频率的提高、辅助电源电流将增加更多。然而、如果只有136nF 闭合旁路电容器、辅助电源电流将始终为正常值。我想知道这可能是什么原因。谢谢！

3 年多前

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 1126020 points

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您好 Hao、

您能否共享原理图和布局？您所指的旁路电容器是高频电源环路的局部去耦电容器吗？

此致、

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 1126020 points

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您好、您好、Yichi、

感谢您的回复。我还使用 LMG3425EVM-04X 尝试了您的评估板 LMG342X-BB-EVM 主板。当我将子板上的 C15从0.022uF 增加到大约6uF 时、问题相同。谢谢！

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 1126020 points

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您好 Hao、

我们猜是使用具有理想二极管模式的 LMG3425时、当您在没有 Vbus 的情况下切换半桥时、在 FET 关断( 没有驱动电压)后、它们倾向于检测 VDS<0、然后由于理想二极管模式而重新导通。

然后、它们会关闭、因为电流太低。最终效果是每次命令器件切换时、器件都会切换两次。这会导致他看到的辅助电源电流增加。当施加总线电压时、FET 关断后 VDS 不会变为<0、因此双开关停止、电流恢复正常。

我们认为总线电容在某种程度上改变了哪些 FET 会看到负电压的详细信息、因此会影响它们的双开关时间。我们对细节不太确定。

希望这对您有所帮助。

此致、

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[参考译文] LMG3425R030：辅助电源电流将随着旁路电容器的增大而增大