主题中讨论的其他器件: LMG342X-BB-EVM
您好!
我在全桥配置中使用 LMG3425R030。 我有一个靠近半桥的旁路电容器、它是136nF、另一个较大的旁路电容器与半桥相对较远。 当我将较大的旁路电容增加至高于1uF 时、12V 辅助电源电流将增加0.1A。在我打开主电源后、辅助电源电流将下降回正常值。 随着开关频率的提高、辅助电源电流将增加更多。 然而、如果只有136nF 闭合旁路电容器、辅助电源电流将始终为正常值。 我想知道这可能是什么原因。 谢谢!
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您好!
我在全桥配置中使用 LMG3425R030。 我有一个靠近半桥的旁路电容器、它是136nF、另一个较大的旁路电容器与半桥相对较远。 当我将较大的旁路电容增加至高于1uF 时、12V 辅助电源电流将增加0.1A。在我打开主电源后、辅助电源电流将下降回正常值。 随着开关频率的提高、辅助电源电流将增加更多。 然而、如果只有136nF 闭合旁路电容器、辅助电源电流将始终为正常值。 我想知道这可能是什么原因。 谢谢!
您好 Hao、
我们猜是使用具有理想二极管模式的 LMG3425时、 当您在没有 Vbus 的情况下切换半桥时、在 FET 关断( 没有驱动电压)后、它们倾向于检测 VDS<0、然后由于理想二极管模式而重新导通。
然后、它们会关闭、因为电流太低。 最终效果是每次命令器件切换时、器件都会切换两次。 这会导致他看到的辅助电源电流增加。 当施加总线电压时、FET 关断后 VDS 不会变为<0、因此双开关停止、电流恢复正常。
我们认为总线电容在某种程度上改变了哪些 FET 会看到负电压的详细信息、因此会影响它们的双开关时间。 我们对细节不太确定。
希望这对您有所帮助。
此致、