[参考译文] BQ24610：BQ24610

您好 Kedar、

感谢您的回复。

对于功率 MOSFET、 您在数据表中建议了 Sis412DN。

对于我的应用、最大充电电流为2A (峰值)、输入最大为24V。
您能否在更小的封装中推荐符合上述要求的任何 MOSFET？

抱歉、我无法提供 MOSFET 的建议规格。
我知道我必须考虑额定电压为40V 的 FET。 但有一些公式可用于计算 FOM 和损耗。 但我没有找到任何推荐 的 FOM 或损耗值。

如果您可以建议任何其他 MOSFET、这将非常有用。

此外、如果有任何选择 BATFET 的建议、请让我来看看。

此致、
Shafeeq

您好、Shafeeq、

  我们还有一个电源开关团队、可以更准确地回答您的问题。 找到相关器件后、请创建一个新帖子、其中标记了该器件型号、该专家可以与您联系。

通常、在选择开关 MOSFET 时、您需要额定电压为40V 且 Rdson 更低的 FET 以降低导通损耗、而要降低 Qg 以降低开关损耗。 由于 BATFET 不在高频下开关、因此开关损耗不太重要、并且当 BAT 为 SYS 供电时、较低的 Rdson 有助于降低功率耗散。  

您好 Kedar、

 数据表中没有针对自举肖特基二极管的选择建议。

您能否提供有关如何选择此肖特基二极管的任何信息？

在数据表中、您推荐使用 BAT54、但我们希望使用具有两个引脚的更小封装。

您能否建议使用任何可与 BQ24610搭配使用的串联 MOSFET？
如果我必须选择一个器件、我将需要知道可接受的 FOM、开关和导通损耗是多少。 您能否为这些建议可接受的范围？

谢谢、此致、
Shafeeq