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[参考译文] BQ25798:BQ25798源选择电路文档

Guru**** 2540720 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25798

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/982166/bq25798-bq25798-source-selection-circuitry-documentation

器件型号:BQ25798

我对 BQ25798数据表中与 ACDRV1/ACDRV2驱动的输入选择相关的部分感到困惑。 在表5-1中、引脚说明指出电荷泵将驱动电压高于背对背 N 沟道 MOSFET 的共漏极连接电压5V。 不过、从图7-3和图7-4中的图可以看出、实际上 MOSFET极共享一个公共连接。 此外、第6.5节(电气特性)似乎没有包含 任何有关 ACDRV1/ACDRV2的信息。 此外、 如图8-1所示、将 MOSFET 栅极直接连接到 ACDRV1/ACDRV2是否足够? 该 EVM 包括一个与齐纳二极管并联的1nF 电容器、以及栅极和 BQ25798引脚之间的294 Ω 电阻器。

在我看来、更详细地解释这个特性将会有所帮助、也许还会将一些推荐的元件作为参考原理图的一部分。

谢谢!

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    您好、Rutger、

    感谢您对数据表的评论!  我会将您的意见添加到我们未来数据表编辑列表中。  同时、请按照 EVM 原理图连接到 ACDRVx。  电阻器和电容器用于防止齐纳二极管在启动时钳制之前栅极可能发生过冲。  ACDRx 的输出来自一个电荷泵、此电荷泵提供的电压至少比在 VACx 上感测到的输入电压高5V。

    此致、

    Jeff

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    尊敬的 Jeff:

    非常感谢、这回答了我的问题!

    此致、

    Rutger