[参考译文] LMG1210：外部自举电路-更高的电压和 MOSFET、而不是 GaN FET

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/982257/lmg1210-external-bootstrap-circuit---higher-voltage-and-mosfet-instead-of-gan-fet

器件型号：LMG1210

您好！

我想在我们的应用中将 LMG1210用作半桥驱动器。我们的开关频率为1MHz、需要外部 MOSFET 来承载2A 的负载电流。

如果我使用数据表中推荐的自举电路、则高侧 Vgs 将大约为~4.5V (5V 内部 LDO 输出–0.4V 自举二极管压降–0.1V MOSFET 压降)。 4.5V 电压不足以完全导通 MOSFET、它将悬挂在米勒平坦区附近。我不希望使用 GaN FET、因为它的成本很高。

我查看了附件中所示的外部同步自举电路。我有2个问题、如下所示：

1.我能否提供高于5V 的电压(例如10V) 才能完全导通外部高侧 MOSFET？

2.是否需要使用 GaN FET 作为同步开关？

提前感谢。

4 年多前

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2524550 points

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您好 Rahul、

感谢您的联系。

在您共享的原理图中、自举 FET Q44通过高侧输出通道 GLH1驱动、该通道由5V 驱动器轨 VDD 生成。您可能能够使用 Si FET、而不是以10V 驱动、这将需要升高5V 电压、这将需要额外的电路和成本、这基本上相当于 GaN 成本。

2.我们在 Q1和 Q2上使用 GaN FET，因为它们具有更高的开关频率能力(>1MHz)，可实现更高的功率密度。

此致、

-Mamadou

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2524550 points

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您好、Mamadou、

感谢您的回复。它肯定会清除我的查询。

请参阅附件。我有2个问题、如下所示：

电路2中的同步开关相对于电路3具有什么优势？我可以使用低反向恢复电荷二极管来使用电路2吗？

由于我将提供10V 的外部电源、HB-HS / HB-VSS 上是否存在可能超过的任何电压限制？

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2524550 points

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您好 Rahul、

使用配置2时、根据选择的自举二极管、高侧通道可能会因自举二极管(内部二极管或外部)的反向恢复损耗而产生损耗。但是、如图所示的电流配置会损坏 HB-HS 电源、因为这并不意味着大于5V (检查绝对最大值)。通过配置3、无需使用自举二极管、使用 N 沟道提供充电和放电路径、而不会产生二极管损耗。如图所示的配置3也不同于初始图片、其中 N 沟道 FET 的源极连接到 HB-HS 电源(无需自举二极管)、栅极由低侧通道驱动。

2.请查看 IC 引脚的建议运行条件和绝对最大额定值部分。

此致、

-Mamadou

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2524550 points

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您好、Mamadou、

感谢您的支持。

此致、

Rahul。

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