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[参考译文] LM25116:未获得所需的输出电压

Guru**** 2416470 points
Other Parts Discussed in Thread: LM25116, LM25145, LM5145, CSD18532KCS

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1008938/lm25116-not-getting-the-desired-output-voltage

器件型号:LM25116
主题中讨论的其他器件: LM25145LM5145CSD18532KCSCSD

您好,

我已经使用 LM25116MHX/NOPB IC 设计了降压转换器。

我的设计规格如下所示、

I/P 电压:14V-35V 至

O/P 电压和电流: 5.75V @ 20A

在功能测试中、我仅获得2.8V 至3.1VDC 的 O/P 电压。

除 MOSFET M1和 M2之外、所有其他组件均由 TI WebBench 提供。

我使用了替代 MOSFET 部件 TK100A06N1、S4X (适用于 M1和 M2)。

请 帮助我解决此问题并获得5.75VDC 的输出电压。我已在 Ref.e2e.ti.com/.../M1_2D00_M2_5F00_TK100A06N1S4X.pdfe2e.ti.com/.../LM25116-Power-Designer.pdf 上附加了 MOSFET 数据表

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    您好、Maha、

    这是一个具有极高栅极电压米勒平坦(6V、请参阅数据表中的图8.10)的旧技术 MOSFET、这意味着 LM25116栅极驱动振幅(= VCC)的过驱极少。

    此外、该 MOSFET 具有极高的容性、在 Vgs = 7V 时 Qg = 100nC。 与驱动栅极相关的来自 VCC 的直流电流为 Qg*Fsw、两个 FET 的总电流可能都超过 LM25116 VCC 电流限制。

    考虑到此处的高负载电流、请查看 LM25145控制器、因为它具有更好的死区时间和更高的 VCC 电流能力。 另请参阅 LM5145 5V/20A/225kHz EVM。

    此致、

    Tim

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    您好、Timothy、

    非常感谢您的回答、对于相同的现有设计、是否有任何可能的方法来解决此问题???

    或者、任何其他 MOSFET 都可以替换为相同的  TK100A06N1、S4X 封装。

    请给我一个建议来解决这个问题。

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    您好、Maha、

    TI 有7个电压为60V 的 FET、采用 TO-220封装。 以 CSD18532KCS 为例。

    此致、

    Tim

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    您好、Tim、

    根据您的建议、我使用了 P/N:CSD18532KCS MOSFET。现在我获得了所需的输出电压。但加载 O/P 时、9A 后将复位。5.8VDC O/P 时、我的设计要求高达18A 电流限制关断的原因是什么?您能给我一些建议吗???

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    Mahda、电流限制设置在哪里?

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    您好!

    在我的设计要求中、最大工作电流限制为18A。 请 参考从 TI 收到的设计参考电路、我早就与您分享过。 在参考电路中、建议的电流感测电阻为3m Ω。 通过使用该值、电流设置值也会增加。 18A 过流设定点的正确值是多少。

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    马哈、

    请使用 LM25116快速入门计算器文件为该设计定义 OCP 设定值: https://www.ti.com/tool/LM5116-5116WG-25116DESIGN-CALC。

    此致、

    Tim

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    您好、Tim、

    根据计算出的值、我只使用了电流感测电阻器、但也有同样的问题。

    是否存在任何其他故障条件以关闭稳压器输出。是否可以移除 OCP 设定点。  

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    您好、Maha、

    不建议移除 OCP、因为电感器可能会饱和、从而导致极高的峰值电流。 此外、电流模式控制还需要足够的电流感应信号。 请发送电流感应电阻器的电压波形。 噪声可能会影响设定点-您可以在 CS 和 CSD 之间使用 RC 滤波器来缓解这种情况。

    请发送完整的 LM25116设计快速入门。 只看一下原理图、2.2uF 对于输入电容而言太低、尤其是对于20A 的负载电流。 尝试在 FET 附近放置多个10uF/50V/X7R 电容器。

    此致、

    Tim