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[参考译文] TL431:TL431如何从输入电压中生成2.5V 基准电压

Guru**** 2393725 points
Other Parts Discussed in Thread: TL431, ATL431

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1014051/tl431-how-tl431-can-generate-2-5v-reference-voltage-from-a-input-voltage

器件型号:TL431

尊敬的 TI 团队:  

我有一个偏置电路、如下所示、用于为栅极驱动器电路生成+15V/-4V 电压。

在实验和仿真期间、我注意到在特定的重负载条件下、TL431失去生成+15V 的控制。 相反、它只生成+14.3V。

我检查 TL431的基准电压、即电阻器 R1上的电压、并看到基准电压为2.344V、而不是2.5V。  

流经 TL431的电流看起来非常小、如下面的波形所示。

我的问题是:

1) 1)为了便于我理解、TL431如何从输入电压生成2.5V 的基准电压? 您能否使用下面 TL431的详细原理图进行说明。

2) 2) TL431失去控制的原因是什么? 它是因为它的电流非常小(小于1mA)吗? 我应该如何解决这个问题?

 非常感谢。 此致

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Van:

    感谢您的提问。 您能否在原理图中为 TL431上的引脚命名以进行说明? 我的想法如下

    最棒的

    Abhishek

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    您好、Abhishek、

    非常感谢您的反馈。 在原理图中、引脚6是阳极、引脚7是阴极、引脚11是 TL431的 REF 引脚。

    为什么通过 Q1的电流对稳定性很重要? 我认为流经 TL431的电流很重要(应高于1mA)。

    此外、您能否解释一下 TL431根据原始问题中的原理图生成2.5V 基准的原理? 我认为我需要理解它、以便了解问题的根源。

    非常感谢。 此致、

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    尊敬的 Van:

    感谢您使用原理图中 TL431的引脚分配。 您能否具体说明 TL431在哪些负载条件下执行此操作? 我看到您的 TL431实现方案如数据表的图34所示。  从电流图中可以清楚地看到、提供给 TL431阴极的电流不足>1mA。 我们可以通过几种方法来尝试解决此问题。  

    1. 减小 R4、看看我们是否可以为 TL431阴极提供更多电流
    2. 将 TL431替换为 ATL431、以查看其是否完成了任务。 我们将需要相应地调整 R4。

    希望这有助于调试该问题。

    最棒的
    Abhishek

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    您好、Abhishek、

    非常感谢您的回复。 我的负载是适用于 SiC MOSFET 且具有给定开关频率的栅极驱动器电路。

    顺便说一下、对于 TL431的阴极电流、必须至少具有1mA 的电流?

    由于在一些仿真中、我看到阴极电流小于1mA 时、输出仍然得到良好调节。 在这种情况下有什么缺点?

    非常感谢。 此致、

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    此外、您能否告诉我计算 TL431阴极电流的方法(与输入和输出电压以及电阻值相关的公式)? 例如、使用图 34中添加了说明。 非常感谢!  

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    尊敬的 Van:

    很棒的地方 答案如下:

    • TL431的阴极电流必须至少为1mA? ->是的、这是我们需要提供的最小阴极电流。 您也可以在图34的脚注中看到这一点。

    • 由于在一些仿真中、我看到阴极电流小于1mA 时、输出仍然得到良好调节。 在这种情况下有什么缺点? ->如果电流低于1mA、则基准电压将下降、不会保持不变。

    最棒的

    Abhishek

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    您好、Abhishek、

    非常感谢您的反馈。 我知道计算阴极电流的公式吗?

    例如、在图 34关于、我是否可以说阴极电流:阴极= VI (BATT)/RB?  

    由于当 TL431的输出晶体管导通时、Rb 是 VI (BATT)和 GND 之间唯一连接的电阻器。

    非常感谢。 此致、

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    尊敬的 Van:

    它应该为阴极=  (((Vi -(VBE - Vo))/Rb - Ib)、其中 Ib 是 NPN 基极电流、Vbe 是基极发射极电压、Vo 是输出电压= 5V。 NPN 晶体管的数据表中通常定义了 VBE。

    我还建议查看 IE、即发射器电流、即 IB 和 IC 的总和(集电极电流)。 IE 应该足够高、以便驱动反馈电阻器。 IE >= Vo/(R1 + R2)

    希望这能解答您的问题。 请告诉我是否可以提供其他帮助。  

    最棒的

    Abhishek