[参考译文] BQ79616-Q1：外部平衡 MOSFET 配置

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：BQ79616-Q1

尊敬的 TI 支持：

我将使用 BQ79616与外部 MOSFET、因为我们需要高平衡电流、但根据(SLVAE87–2019年2月)文档、我们有一些疑问：

是否有任何应用程序。说明/EVB 说明了图4-5中使用的值？
文档报告："必须根据级联电压确定的降额要求选择 VDS。"。
1. 您是指全堆叠电压？为什么？ MOSFET 被连接、忽略了串联电阻 RexBAL、电压小于5V。
R_DIS (可选)的用途是什么？
C_HP 的用途和典型值是什么？

提前感谢

此致

0 admin 4 年多前

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卢卡的美好夜晚

我们没有参考图中所述值的应用手册/EVB。 4.5.为了答复您的询问，我将执行内部搜索，收集您的答案，并在明天发送请求的信息。请注意、我们将以最强烈的紧迫感处理该问题。

此致、

Christian Ammon

0 admin 4 年多前

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Luca 的美好一天

我们感谢并感谢您的耐心等待。关于您的问题、请参阅以下内容：

1.目前没有与图中引用的值相关的应用手册/EVB。 BQ79616-Q1器件设计建议文档的4-5部分。

2、整组电压是指电池组顶部到接地(BAT 到 GND)的电压。全堆叠电压控制每个通道的预期电池电压、从而驱动 FET 中的 VDS。例如，如果您使用80V、5V*16通道的完整级联电压，则每个 FET 需要的 VDS 值将不同于具有48V 级联、4V*16通道的情况。

选择 R_DIS 对高通/热插拔电容器放电。

4.C_HP 是指高通/热插拔电容器。

一般而言、我们鼓励客户使用内部电池平衡、因为它偏离了推荐的原理图。在执行外部电池平衡时、电路设计取决于耗电元件的需求。因此、R_DIS 和 C_HP 的值将取决于您的要求。

此致、

Christian Ammon

0 admin 4 年多前

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那么、参考第2点、以下假设是否正确？

如果使用80V (5V*16ch)的全堆叠电压，则必须使用最小 VDS_MAX 为5V (+降额)的平衡 MOSFET。
如果使用64V (4V*16ch)的全堆叠电压、则必须使用最小 VDS_MAX 为4V (+降额)的平衡 MOSFET。

0 admin 4 年多前

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Luca 的美好一天

是的、您的假设是正确的。每个通道的预期电池电压指导 FET 中的 VDS 规格。

此致、

Christian Ammon

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