您好!
我使用 LM381从大约+8V (V_CHG_OUT)升压到+40V 和-40V (变压器右侧)
但有时我的功率 MOS 可能会被 漏极烧毁
使用的功率 MOS I 为 SPR100N03、规格如下。 我的原理图。
是否有任何可能的原因?
流经漏源的电流约为2.6A、Fosc 约为208kHz
谢谢。
e2e.ti.com/.../SPR100N03_2800_PR_2D00_PAK_29002D00_2016.01_5F00_T02.pdf
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您好!
我使用 LM381从大约+8V (V_CHG_OUT)升压到+40V 和-40V (变压器右侧)
但有时我的功率 MOS 可能会被 漏极烧毁
使用的功率 MOS I 为 SPR100N03、规格如下。 我的原理图。
是否有任何可能的原因?
流经漏源的电流约为2.6A、Fosc 约为208kHz
谢谢。
e2e.ti.com/.../SPR100N03_2800_PR_2D00_PAK_29002D00_2016.01_5F00_T02.pdf
尊敬的 EM:
输出可能是比较器使用的 mA 电平。
通过测量、检测电阻器的电流约为50mA。
变压器如下所示
https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/947384/WURTH/749196238.html
感谢你的帮助。
尊敬的 EM:
我不确定何时发生损坏。 这似乎是电源开启的时候、但并非每次都如此。
有些器件可能会发生、有些器件可能不会发生。
下面是次级侧原理图。(未安装 RCD)

Vd 波形如下 、VOUT= +/-50V (反激式次级输出 NPS = 1:2)、VIN= 12V (重负载)、过冲< 45V
(未安装 RCD)

MOS 老化图如下所示

您认为是漏电过冲问题还是 EAS 问题?
谢谢。