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[参考译文] TPS53688:无法将输出电压设置为高于1.52V

Guru**** 2390755 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS53688, CSD95410RRB

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1013077/tps53688-cannot-set-output-voltage-higher-than-1-52v

器件型号:TPS53688
主题中讨论的其他器件: CSD95410RRB

大家好、

我们希望您在以下客户咨询方面提供帮助。

TPS53688器件(电阻器)捆绑为七相+单相转换器。
借助 Fusion Digital Power Designer 软件(7.6.1版)、我可以控制器件并将7相部分(控制环路 A)设置为所需的0.8V。 但是、我无法使单相部分(控制环路 B)输出3.3V 电压、因为软件会阻止这些电压的进入。

此外、Fusion Digital Power Designer 不允许我禁用 Intel 的 VR 模式(VOUT_MODE = 0x16)

我该怎么做才能使第二个控制环路调节到3.3V?

此致、

Danilo  

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    各位专家:

    只需添加、数据表(2020年9月版本、第45页)提到、为了将输出电压设置为高于1.87的电压、还必须适当设置 VOUT_MAX。 但是、在 Fusion Digital Power 设计器中、也会像 VOUT_COMMAND 一样阻止该较高的值。

    此致、

    Sywert。

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    您好、抱歉、回答延迟。 要将输出电压设置为>1.52V,您还需要将 VOUT 模式值更改为支持高电平值的格式。 该器件可支持 Linear11模式以及 Intel VID。 但它是 TI 以 Intel VID 模式提供的。 如果您与我联系离线 mjschurmann@ti.com 、我可以提供一个配置文件以从线性模式和3.3V 输出开始。

    此外、请注意、仅当禁用 VR 时才能更新 VOUT 最大值。

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    Matt、您好!

    正如您可能看到的、我直接与您联系、您提到您将提供一个配置文件供我使用。

    您是否对何时发送有任何想法?

    感谢您的支持。

    此致、

    Sywert。

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    您好、请参阅随附的 CSV 文件。 您可以通过 File > Import > PMBus 编程器脚本加载它。 Fusion GUI 将为您提供在导入地址时覆盖地址的选项。

    我刚才采用了默认值、并将 VOUT 模式更改为 ULINEAR16 (N=-10)模式、并将通道 A VOUT_MAX 更改为3.6V/VOUT 命令更改为3.3V。 您可能还需要进行其他修改、但这至少应允许您使用线性模式编程。

    e2e.ti.com/.../TPS53688_5F00_ULINEAR16_5F00_Mode.csv

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    您好、Matt、

    感谢该文件、但遗憾的是、它在电源轨 A 上设置了输出电压、该电源轨已在0.8V 上正确运行7个相位。

    我正在尝试通过 PMBus 编写适当的命令、但数据表始终参考 技术参考手册。

     具体来说、对于固定的 OVP、数据表提到它是通过 MFR_PROVE_CONFIG 进行编程的、但没有对二进制格式进行说明。

    是否可以收到技术参考手册?

    提前感谢。

    此致、

    Sywert。

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    请发送电子邮件 至 vr@list.ti.com 以获取 TRM 文档副本。出于与数据表类似的原因、我无法在论坛上分享或在线发布。

    具体而言、固定的 OVP 设置将位于 Fusion GUI 的"保护"选项卡中、并映射到 MFR 保护配置命令0xBB 中。

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    您好、Matt、

    通过使用 TRM 和 Fusion Digital Power Designer 写入 TPS53688的一些逆向工程、我成功地在正确的控制器输出端将输出电压降至3.3V。 负载似乎正常(与 CSD95410RRB 结合使用时至少可达15A、因此可能还有更多负载也正常)。

    只有一个问题:在电路板加电时、3V3电源轨负载非常低:350mA 左右。  

    这会导致开关电感器变得非常热的问题。

    这是由于即使寄存器0x34设置为零、控制器也会在 FCCM 中设置。

    将其写入0x3并返回0x0 (或0x4)后、器件进入自动 DCM、电感器显著冷却、初级电流也降至更健康的水平:0.34A (对于整个电路板)、而不是12V 时的大约1.5A。

    我已经在 TPS53688中将自动 DCM 模式写入 NVM、但在下电上电后、它返回到 FCCM、并且在读取 PM 总线地址0x34时、它报告0x0。

    将其从0x03循环回0x0会再次将其设置为 Auto-DCM。

    是否有一个解决方案可在加电后启用自动 DCM 并且不需要 PM 总线写入?

    (如果我需要创建一个新的票据/帖子、因为它可能不适合此主题、请告知我)

    谢谢。

    此致、

    Sywert。

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    您好、Sywert、

    我确实看到它是如何令人困惑的。 但0x34寄存器没有 NVM 备份。 它只是根据通过其他命令编程的 EVM 进行初始化。 power_mode 更适合动态使用、并且包含在其中以实现与 PMBus 的交叉兼容性。

    您可以使用 MFR_SPECIFIC_ED 中的 AUTO_DCM 位+ PHASE_STHE_CONFIG 中的 DPS_EN 位来存储此器件的自动 DCM 行为和 NVM 中的相位转换。

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    您好、Matt、

    尝试读回 MFR_SPECIFIC_ED 和 PHASE_Shed_config 后、似乎 MFR_SPECIFIC_ED 实际上没有设置为 Auto-DCM。

    (回读: 15:14:01.546:SAA #1:BlockRead (地址110d、Cmd 0xED):ACK 0xD000006000)

    加电后、向 该块写入0xD0000060A0、稳压器会按预期更改为自动 DCM、但我们似乎无法将其放入 NVM 中。

     写入0xD0000060A0并停止电源转换时、写入命令0x15应将此设置存储到 NVM 中、但在等待足够长并发出 RESTORE_USER_ALL 之后、块值 再次为0xD000006000。

    未设置写保护(寄存器0x10为0x00、MFR_SPECIFIC_WRITE_PROTECT 也为0x0000)

    通过 USER_NVM_INDEX 和 USER_NVM_EXECUTE、应该可以将适当的数据写入 EEPROM、但操作 RAM 和 NVM 的映射不清楚。

    您能否对此提供一些见解?

    感谢您迄今所做的一切努力。

    此致、

    Sywert。

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    此过程应起作用...

    -根据开关闭配置、通过 VREN/运行来禁用电源转换

    -写入0xED 命令以更新 AUTO_DCM 位

    - SendByte 0x11/0x15以存储默认值

    -关闭并重新打开设备电源

    -再次上电,它现在应该处于 AUTO_DCM 模式。

    如果这仍然给您带来麻烦、您可以保存当前设备中的.xml 文件、并将其发布在此处。 我可以使用另一个 CSV 脚本回复、并更改了正确的位(和 NVM CRC)。

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    您好、Matt、

    这是我多次尝试的相同过程、每次都失败。

    请找到附加的 XML 文件。  

    在发送之前、我想清除配置、但又被不愿意使用的器件和软件或我缺乏理解所影响。

    我注意 到、器件中电源轨#1输出的 OV 和 UV 警告及故障限制实际上并不是正常的、并且无法通过 PM 总线命令和 Fusion 工具进行更改。 那么、您也可以检查这些值吗?

    我猜操作存储器和 EEPROM 字段的映射概述是 TI 专有的、不应透露?  

    这将有助于避免 FUSION 工具中支持较少的字段出现问题。

    再次感谢。

    此致、

    Sywert

    e2e.ti.com/.../TPS53688-3.0-Address-110-Project-File.xml

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    请参阅随附的文件。 是的、我们不会发布此器件的 NVM 映射、因为它的位块非常密集(并且对于单个字段通常是不连续的)、并且包含位不可屏显的设置、这可能会导致很多混淆。 例如,未使用的引脚配置,...

    e2e.ti.com/.../Tps53688_5F00_auto_5F00_dcm_5F00_enabled.csv

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    您好、Matt、

    将文件编程到控制器后、等待一段时间(大约10秒)并循环通电、两个电源轨上的文件仍会在 FCCM 中出现、读取0xED 即可确认这一点。

    您是否对下一步做什么以及如何加速解决此问题有任何建议?  

    此致、

    Sywert

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    我想我在这里弄清楚了"明白了"(它也让我明白了、我为此器件编写了规范)。 当您使用引脚搭接来确定相位配置时、器件默认为 FCCM 模式。 对于所有不同的引脚搭接配置、它还必须采用一些明智的相位排序。

    请尝试以下操作:

    -从"系统配置"选项卡中、转到"覆盖引脚束带"并设置 PD_PHASE =使用 NVM、写入硬件

    -在“电源轨配置”选项卡上,仔细检查相位配置是否仍符合预期。 必要时更新。

    -从"All Config"(所有配置)中,更新 MFR_ED 以打开 Auto-DCM (通常您希望在第0相位上 DCM,以便在其他相位下降后,在第1相上 DCM)。

    -存储到 NVM 中,等待> 100ms

    -电源循环

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    您好、Matt、

    谢谢!

    这实际上就是诀窍。

    0xED 值现在也在 NVM 中保持不变。

    对于 与相位配置和自动 DCM 相关的项目、加电后您在 EEPROM 中进行的设置是否会被引脚搭接模式覆盖?

    感谢您的耐心等待。

    此致、

    Sywert。

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    是的、无论 EEPROM 值如何、寄存器值都会更新为"live"值。 因此、如果 PMBus 地址、相位配置(AUTO_DCM...) 位来自引脚搭接、您将看到加电后 PMBus 命令中使用的实际值。

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    好的、这很清楚。

    再次感谢您的努力。 您的帮助非常好!

    此致、

    Sywert。