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[参考译文] TPS51916:组件选择

Guru**** 2382280 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS51916
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1012061/tps51916-component-selection

器件型号:TPS51916

大家好、

我的客户正在进行  将使用 TPS51916的 DDR3L 电源设计。

我们 提出了一些问题:

  1. 他们主要使用 Webench 作为设计的基础、并对 Cvttref 的实现提出了疑问。 主要是220nF COG/NP0 1类电容器、在 Webench 中没有2类(X5R 至 X7R 等)可供选择。 电容值和电容类的这种特殊组合使可用的产品数量有限、可用的产品尺寸非常大(1206是最小的)。 在该输出上使用1类电容器是否有非常具体的原因、或者我们是否可以使用更高电容的2类电容器、根据直流偏置和温度的降额、该电容器具有保证的最小电容为.22uF? 随温度变化的电容值是否会导致问题?
  2. 我们能否对 D-CAP 和 D-CAP2之间的最佳运行模式进行一些澄清? 在瞬态响应方面、D-CAP 似乎可以更好地运行。 除了希望与 MLCC 保持联系之外、是否有任何理由考虑 D-CAP2?
  3. 我们对较低开关频率下的瞬态响应如何更好…有点好奇 我们假定的一般规则是带宽约为开关频率…的10% 提高开关频率似乎会提高控制带宽… 这不是该电源的情况、该一般规则不适用吗?

谢谢、
Mitchell

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    您好、Mitchell、

    1.您能否使用 X5R 或 X7R 电容器进行 VTTREF 去耦。 我想 Wenbench 只想通过 COG/NP0保持0.22uF 的最小值、您肯定可以使用具有更高电容的 X5R 或 X7R 来保证0.22uF 的最小电容。  

    2.D-CAP 需要更高的 ESR Cout、这通常会产生更高的 Vout 纹波。 此外、由于基准与 Vout 纹波的谷值进行比较、因此输出精度将取决于输出纹波的幅度。 D-CAP2支持所有陶瓷输出电容器应用、瞬态比 D-CAP 略慢。  

    3.对于 D-CAP 模式控制、没有误差放大器、因此不适用带宽连接。 开关频率较低时、负载升压期间的有效占空比可能更高(因为最大占空比受最短关断时间限制)、因此负载升压时的瞬态性能更好、开关频率更低。 然而、在负载降压时、较低的开关频率通常会提供较高的过冲。

    此致、

    Weidong