This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1011592/ucc21520-q1-isolate-gate-driver-difference-for-si-mosfet-and-sic-mosfet
大家好、
请帮助您确认用于 Si MOSFET 和 SiC MOSFET 的隔离式栅极驱动器的规格会有所不同吗？ 非常感谢您的支持。
此致
Jie
尊敬的 Jie：
当然、让我把规格放在一起。 我将很快向您提供最新信息。
此致、
Andy Robles
非常感谢您的参与。
选择驱动器时需要考虑的一些重要规格是使用高开关频率时的驱动强度。
延迟/匹配是使用高频时的基本条件。
米勒钳位为负电压是使用这些器件时需要考虑的重要特性。
应正确选择 UVLO、以确保随着时间的推移实现低导通损耗和更好的可靠性
CMTI 必须高于额定电平、以防止隔离栅故障。
以下白皮书更详细地介绍了重要规格。
SiC 栅极驱动器基础知识电子书(TI.com)
请告诉我们这是否能解决您的问题。
弗朗西斯科·劳祖里克
