[参考译文] LM25117EVAL：MOSFET 栅极电阻器设计

尊敬的 Francesco：

峰值驱动器瞬时电流发生在栅极电容充电期间、不是如上面计算的建议处于稳态(使用驱动器的直流电阻)。

通常、低侧 FET 上不需要栅极电阻器。 在许多情况下、这实际上是不利的、因为 SW 上的快速 dv/dt 会将电流通过 CDG 耦合到栅极、可能导致不必要的导通。

高侧 FET 上的栅极电阻器会减慢开关速度、尽管会降低一定的开关损耗。

此致、

Tim

感谢您的回答、我尝试以另一种方式解释我的想法。

在我看来、在低侧 MOSFET 导通之前、V_GS = 0V、因此 C_GS 未充电。

当低侧 MOSFET 导通时、存在非常短的电流干扰(在驱动器输出上)、其电流电平与我在公式中找到的电流电平相同。
这是因为 C_GS 为空、因此电流干扰类似于 C 初始放电时 RC 滤波器中的初始电流。 (MOSFET 具有其特定的导通行为、因此在初始毛刺脉冲之后、它与 RC 滤波器完全不同)。

我的误差可能是将 LM25117数据表中表示的电流视为上述干扰期间允许的最大电流、如果电流干扰超过该值、则可能会损坏 IC

实际上、数据表中的电流可能是驱动器可以提供的最大电流、并且它们在内部受到限制(例如限流器)、因此 IC 无法在极短的时间内提供更大的电流。

因此、在这种情况  下、您可以将任何 MOSFET (同时具有大尺寸、高栅极电容和零内部栅极电阻)连接到驱动器、而无需外部栅极电阻、因为驱动器受到过流保护。

   即使 MOSFET 导通时的初始电流毛刺(通过公式获得)大于数据表电流值、也不会损坏 IC、因为它们是内部限制的。

在这种情况下、数据表中的最大 IC 驱动器电流以及栅极电容值用于了解导通速度。
使用能够提供更大最大电流的驱动器有助于提高 MOSFET 导通速度、但不能避免 IC 损坏。

这个想法是正确的？