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器件型号：BQ40Z80 主题中讨论的其他器件：BQSTUDIO
我使用的是高放电组件(电流换算系数= 3)、通过 BQStudio 进行 CC 校准可获得~0.645的 CC 增益。
但是、"Dataflash Memory"选项卡不喜欢这种情况、无法写入 CC 增益和容量增益参数、错误消息"Value is abeeded maximum value defined for parameter：calibration.curration.CC gain"。 校准接口可以很好地写入、但 DataFlash 接口无法写入。 校准后、BMS 的电流测量值在宽电流范围内与外部测量值相匹配、因此我相信校准值本身是正确的。
这目前阻止了我们将单个 gg.csv 文件写入多个包、看起来与 e2e.ti.com/.../bq76930-bq76930-bq78350-r2-and-currents-of-200a-with-7s5p-battery-pack-rsense-value 完全相同
如果有任何帮助、我们将不胜感激！
