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器件型号：BQ78350-R1 主题中讨论的其他器件：BQ78350
在采用 BQ78350和 BQ769x0的潜在设计中、两个 IC 共享电池 GND。 如果电池的低侧 FET 保护触发并打开 FET、则应用器件与电池断开连接、整个应用设计电压将上升至 BAT+。 现在、对于将应用程序连接到电池组的 SBMD 和 SMBC 线路、这不是问题。
由于低侧断开、它们将被上拉至3V3应用器件侧、即 BAT+电压。 这是不可行的、因为 SMBC/SMBD 线路只允许高达5V 的电压、而 BQ78350的 BAT-/VSS 电压。 如果上拉电阻连接到 REGOUT 而不是应用器件上、则 SMBC/SMBD 线路相对于应用 GND 低于0V、这也是不可能的。 如何解决此问题？
数据表指出、如果始终需要通信、则使用高侧保护、但如果 FET 处于开路状态、则不需要通信。 我只是不希望主机或 BQ 被炸
谢谢！
