[参考译文] TPS40305：获得 EMI 峰值

Pratik Panchal.1 

优化缓冲器的最佳过程是：

1) 1)拆下缓冲器并测量谐振振荡频率

2) 2)使用0欧姆电阻器时、添加缓冲电容、直到谐振振荡频率减半

此时、总电容比没有缓冲器的情况大4倍、因此内部寄生电容是添加的缓冲器电容的1/3

3) 3)计算内部寄生开关节点电容(1/3缓冲电容)和寄生电感

LPara = 1/(4 x π^2 x Fres x Cpara) (如果在没有缓冲器的情况下使用该频率、则仅为 Cpara；如果在缓冲器中使用该频率、则为 Cpara + Csnub

4) 4)计算 L-C 谐振的特性阻抗(包括您将使用的最终缓冲电容器。

Zcharacteristic = sqrt [ LPA/(Cpara + Csnub)]

为缓冲电阻器选择该电阻将提供最佳的降低效果。

虽然增加 Csnub 会降低振铃振幅、但振幅会随着电容的平方根而减小。  除了 Csnub = 3x Cpara、进一步增加缓冲器的好处很小。

另一个寻求200MHz 降噪的地方是改善从高侧 FET 漏极到低侧 FET 源极的旁路阻抗、以便在更紧密、更低的电感环路中为开关节点充电。  根据我的经验、在尽可能靠近漏极和源极的位置放置一个2.2nF 至10nF 的小型0402电容器会大有帮助。  此外、以1/3步长(10uF、3.3uF、1.0uF、0.33uF、0.1uF)交错输出电容器、PCB 顶部和底部的电容器以及接地连接之间的 VOUT 有助于在非常高的频率下最大限度地减小输出阻抗、从而更大限度地降低传导噪声。

此外、我看不到您的原理图来引用您命名的位置、因此我没有这些更改的参考点。  添加2.2nF 的缓冲电容似乎不会使谐振频率发生很大变化、这表明开关节点上存在大量寄生电容。