[参考译文] BQ25886：能否查看 BQ25886的原理图？

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：BQ25886

您好、TI 专家、

我们参考 BQ25886EVM 来设计电路。我想通过应用输入电流优化器(ICO)来限制输入电流3A。 (D+短接至 D-)

充电电流设置为1.5A。

您能否查看 BQ25886的原理图？

谢谢！

Downey Kim。

0 admin 4 年多前

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您好、Downey、

原理图上的一些注释：

1、REGN 电容的最小值为4.7uF、考虑到直流偏置效应、最好是额定电压为16V。

SYS 上建议的最小电容为44uF、因此两个22uF 并联、同样至少为16V、额定直流偏置效应。

3.我建议为 PMID 上的附加电容(在数据表中标记为可选)添加至少一个封装。该器件对输入线路阻抗很敏感、因此需要额外的电容来降低电感。还建议在 VBUS 上增加电容。这些电容器需要尽可能靠近 IC PMID 和 GND 引脚放置。

4./CE 引脚接地电阻显示为 NC。如果您希望充电器始终在充电模式下运行、则电阻应为0欧姆。

此致、

Jeff

电源管理（参考译文帖）(Read Only)