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器件型号：TPS54302 你(们)好
您能否告诉我高侧 FET 关断和低侧 FET 导通以及低侧 FET 关断和高侧 FET 导通之间的死区时间？
死区时间内 SW 节点上的负电压(大约-0.6V)是在50ns (绝对最大值、瞬态时间)内测得的。
我想、这些负电压是死区期间的内部操作。 因此这不是问题、因为它不是外部施加电压。 正确吗？
此外、波形上的死区时间是否正常？
谢谢
穆克
