[参考译文] UC28025：是否申请推荐器件？

David、

再看看这一点、这实际上是只有10W 的输出功率吗？ 如果是、我认为您可以使用升压或反激(如果您需要隔离)。 对于1/2电桥、它的功耗非常低。  

我建议使用 UCC28C44作为升压或反激。 我没有能完全满足此要求的参考设计或 EVM。

此致、

John

David、

对于非隔离式升压、转换比为26、占空比为 D~96%、1-D=4%。 升压在较低 D 时效率最高(此设计为高 D)、MOSFET VDS 上的应力为 VD=VOUT=10kV！ 非隔离式升压转换器。

对于反激式方法、您需要考虑匝数比以及从高压次级侧到初级侧的反射输出电压。 要获得良好的答案、您需要完成反激式变压器设计、包括磁芯选择、AE、Bmax、Lm 和 IPK、以获取 NP (初级所需匝数)、然后通过 NS (次级所需匝数)获取初级 MOSFET 的反射电压。 初级 MOSFET 看到的最大 Vds 为 VIN+VR+Vspike、您可能会惊讶于10kV 输出的 Vds 应力有多高。 可能可以使用 HV SiC MOSFET、但否则该 HV VDS 可能会阻止反激。

如果反激式的 HV 无法管理、则双开关反激式可能是一个不错的选择。 每个开关的电压应力将是单开关反激的一半。 双开关反激式需要电平位移高侧驱动器、但开关是同步的(时序不太重要、不需要死区时间)、而半桥是异步的(时序和死区时间至关重要)。

也许可以使用非隔离式 SiC 或 IGBT 升压前端实现两级级级级联方法、以获得 SiC 或 IGBT 能够处理的高电压、然后采用匝数比更低、VR 更低的反激式方法？

半桥可充分利用变压器、这在该功率水平下并不是真正必要的、并将初级开关上的最大 VDS 限制为 VIN。 高压下的硬开关可能会在 VDS 上引入较大的 HV 尖峰、这可能需要在 RC 缓冲器中耗散。

HV 反激式器件用于 CRT 监视器/电视和闪光灯管发生器-您可以通过 Google 获取指导吗？

此致、

Steve M