[参考译文] UCC28780：上部 FET 的电源

你好、Jason

我已将 您的帖子分配给专家、请在星期四之前回复。

云生

您好 Jason、

感谢您关注 TI 器件。

以下是您的一些问题和建议：

1.根据您提供的波形，高侧 FET 未导通。 由于 CH2刻度使用50V/div，并且不知道它所指的接地是什么。 因此、波形不能告诉我 QH_VCC 和 QH_VDD 的确切电压是多少。 但我想 您的高侧 GaN 或隔离器驱动器是 UVLO。

2.请问在高侧自举路径中串联的 D15和 D16有何用途？  是否可以将其删除？

3.如果您的输出电压是固定的9V。 应修改匝数比，Ns= 4T，Na = 9T 足以为 Ucc28780和 GaN FET 供电。 而13T 将导致 VAUX 高达~29.25V，这非常接近 GaN FET VCC 允许的最大电压。  

4.我相信您的高侧 GaN 或隔离器驱动器是 UVLO，请尝试纠正它。  

谢谢。

您好 Jaden、

所有波形以 PGND 为基准。 在 J1处施加的电源电压为160VDC、限制为250mA。  

2. D15和 D16会将来自 D2的电压降至 Q2的最大额定电压以下。 它们目前只是死板、很容易被移除。 我安装它们是因为在之前的测试中、我看到 QH_VCC - PWR_VSW 超过30V、这是 NV6117的绝对最大值。

3.我可以重新配置为使用9T 电源。 我将尝试该操作、看看会发生什么情况。

4.我同意 QH_VDD 和 PWR_VCC2相对于 PWR_VSW 看起来是低电平。 奇怪的是 QH_VCC - PWR_VSW 始终高于12V、这应该足以为 QH_VDD 供电。 它看起来可能会消耗过多电流。 当我使用万用表测量 QH_VDD 至 PWR_VSW 的电阻时、我得到了几个 MOhm 的结果、因此我不认为这是短路引脚或类似的任何东西。

您好 Jason、

请尝试我提出的解决方案。 并通过差分探测器捕获 QH_VDD 和 PWR_VCC2、以查看 确切的电压。 谢谢。