[参考译文] LM5085：电流失控问题

尊敬的 Andy：

您能帮助我了解这些数字来自哪里吗？

对于 TON-max、我在"电气特性"中看到 TON-4的最坏情况值为235nS。  您的号码来自哪里？

对于 Toff-max、我使用了等式10、但这为我提供了16uS。  您是如何计算8670ns 的？  我的16us 是否应用了容差？  还是其他东西？

第13页的最后一段似乎不是添加 PFET 导通和关断延迟 、而是添加延迟与 TON-max 的差异、而不是绝对值。  在这种情况下、差异为0、这会产生显著的差异。  是这样吗？

最后、您的数字是否是最大 Ton-max 和最小 Toff-max、以获得绝对最坏情况下的结果？  我通常会为此进行设计、 但是、我想确保我理解数据表中的注释、该注释似乎提到不会发生这种组合-"在范围的高端具有导通时间的器件将具有处于范围高端的关断时间" -这是否意味着在最坏情况下 TON-max 为235ns 的器件的 Toff-max 将高于典型值、而不是更小？

但是、除了选择更高的 VF 和 DCR、最终得到的数字是什么、您是否会建议您确保电流不会消失？  故意使设计效率降低以处理潜在的边缘情况似乎是一种耻辱。

谢谢、

Dave

您好、Dave、

是的、TON-MIN 235ns 来自数据表规格。 表。  

您可以使用公式10计算 VFB=0V 和 Vin=30V 时的 Toff、并添加 T/-50%的 T-off 最小值/最大值容差。  

使用235ns 作为30V 电压下的最大 Ton-min 值和 Toff-max 值来计算 Vf+Vdcr、并在30V 电压下以55ns 作为 Ton-min 和 T-off min 进行验证、从而得出更大的结果。

您是否考虑将 LM5141用于您的应用？

B R

Andy

尊敬的 Andy：

如果我使用235ns 作为最大 Ton-min 和最大 Toff-max (计算值+ 50%= 24uS)、则我得到 Vf+Vdcr = 322mV。

如果我使用55ns 作为最大 Ton-min 和最小 Toff-max (计算值为-50%= 8uS)、则我得到 Vf + Vdcr = 304mV。

这是您的意思吗？  使用最大值(235nS、24uS)和最小值(55nS、8US)进行计算、并选择最坏情况？   

如果这是正确的、那么我应该使用的数字大约是322mV 吗？  或者答案987mV、但我有误解吗？

我有一些特定于应用的原因无法使用 LM5141。  是否可以在论坛之外就此与您联系？

谢谢、

Dave