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[参考译文] BQ34110：无法写入数据闪存#39；t 写入

admin
Guru**** 2611705 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/969901/bq34110-couldn-t-write-on-data-flash

器件型号：BQ34110

我读取 VOLTAGE ()、其值>数据闪存更新电压、但我只能在校准模式下更新数据闪存寄存器。

我应该做什么或检查什么？

如果 我配置了外部分压器，VEN 引脚是否应始终为高电平？

  • 0
    TI__Guru**** 2611705 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Gehad、

    TRM 中包含有关数据闪存更新的信息：

    除非器件处于校准模式、否则仅当 Voltage()≥Flash Update OK Voltage 时才可更新数据闪存(DF)。 闪存编程电流会导致 LDO 压降增加。 选择闪存更新正常电压的值时、应确保在闪存写入操作期间器件 VCC 电压不会降至低于其最小值2.4V。

    您能否在尝试更新闪存时共享日志和.gg 文件？

    此致、

    Wyatt Keller