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Other Parts Discussed in Thread: TPS65296
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/968156/tps65296-vddq-output
您好，团队
对于 LPDDR4X 电源、芯片的 VDDQ 输出为0.603V。 请确认如何将 VDDQ 输出到0.62V？
您好！
使用内部0.6V 基准电压时、将 VDDQ 调节为0.62V 的唯一方法是添加分压器以实现 VDDQ 电压反馈。
但对于 TPS65296、我们没有满足这样的应用案例。 我们需要与设计团队核实是否存在任何问题。 您能否分享有关该应用的一些信息？ 为什么需要0.62V？
谢谢、
Andrew
您好 Andrew，
对于 LPDDR4X、我们希望可以增大 VDDQ 的电压以确保 DRAM 的稳定性。 目前、在电路板上测得的 VDDQ (0.603V)有点低。
并帮助解释该电流的含义？
您可以参考数据表的方框图。 IC 内部有放电 MOS、可防止外部强制电压。 对于外部偏置电压、它将影响三个电源轨的时序和序列。 因此、我们需要确保每个通道的偏置电压在启动前可以放电。
使用内部 MOS 进行放电、所有功耗将消耗 MOS 的 Rdson。 因此、放电电流都受外部偏置电压电平和结温的影响、这对 RDSon 有影响。 此处的图显示了放电电流和结温之间的关系(结温越高、Rdson 越高、放电流越小)。
对于 VDDQ 的0.62V 输出请求、我认为您可以尝试使用从 VDDQ 到 VDDQSNS 的反馈电阻分压器来获得0.62V 输出。 理论上没有明显的顾虑。
此致、
