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器件型号：LM5020 大家好、我有关于在应用中使用 LM5020的应用的技术问题。 在极轻负载下、当电流脉冲宽度小于50纳秒且大约在15-45纳秒时、我们是否可以使用 LM5020来正确利用芯片。 这是可以通过某些斜率补偿电路更改的吗？ 我的理解是、这与"前沿消隐"有关。
我们正在设计反激式拓扑、并根据一些仿真结果确定 LM5020是否是合适的控制芯片。 我们具有宽范围的初级侧直流电压、最高可达1000V、而且我们还有令人难以置信的轻负载情况。 我们设计了变压器、我们了解其参数、我们挑选了滤波器盖、所有这些都是爵士乐。 但是、当我们进行仿真时、负载有时会非常轻、通常仅消耗毫瓦。 在仿真中、占空比可能会变得难以置信的低、通过低侧器件的电流脉冲的宽度也非常短、有时甚至会降至几十纳秒
我对 LM5020的理解是、它具有恒定的前沿消隐电路、有助于克服通过感应电阻器从栅极电容进行电流"剧烈"放电的问题、但其底限大约为数据表中的50纳秒。 LM5020是否仍然是适用于此应用的控制 IC？
