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[参考译文] TPS3619-33-EP：在使用 PFO 引脚驱动 P 沟道 MOSFET 时遇到问题

admin
Guru**** 2390755 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS3619

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1160146/tps3619-33-ep-having-problems-in-driving-p-channel-mosfet-with-pfo-pin

器件型号：TPS3619-33-EP
主题中讨论的其他器件：TPS3619

您好！

在我们的设计中，如果固件发生故障，负载(微控制器)在(VBAT - VOUT)之间消耗大约100+mA 的连续电流，TPS3619很容易被炸坏。 在这种情况下、TPS3619将始终油炸/折断、为我们提供指示、它开始将电流过大~ 120mA、高达400mA、并且自身过热、当电路断开时、引脚上的电阻几乎短路。 我们认为，如果固件发生故障，我们将在( VBAT - VOUT )之间并联一个 P 沟道 MOSFET， 在该 MOSFET 中，PfO 将激活它，以承载任何隐性电流。 这个电路作为一个安全机制有点有效，但不幸的是，我们的微控制器在时间上会有问题从 VBAT 启动或换向/进入睡眠模式；启动或关断需要额外的4-5秒。  

请注意、不使用 MOSFET 栅极上的下拉电阻器、因为我们知道 PFO 是推挽式的。

如果有人帮助我们找到解决方案、我将不胜感激。

BR

操作系统

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    TI__Guru**** 2390755 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Omar、

    由于 Vbat 电流能力较低、在 使用备用电池时、微控制器可能需要切换至低功耗模式、以便消耗更少的电流。 这可能有助于在 VDDSYS 上放置一个大电容器、以便在晶体管开关时使 MCU 保持通电状态。  

    最棒的

    Walter

  • 0
    TI__Guru**** 2390755 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Walter、

    感谢你能抽出时间。 我们知道，微控制器需要切换至较低的电流消耗(睡眠模式)，这就是所发生的情况。 我们想知道，如果微控制器发生故障，从而使 TPS3619免于烧毁，我们是否能够通过(VBAT - VOUT)线路集成 MOSFET 以与 TPS3619一起正常运行，我们是否能够对此有任何了解。  

    BR

    Omar

  • 0
    TI__Guru**** 2390755 points
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    您好、Omar、

    可以调整 R91和 R99、以便晶体管在与 VBAT 相同的电压下导通吗？ 此外、还可以从 VBAT 中移除 VBCAP、而是使用施密特触发比较器在3V3和 VBCAP 之间进行比较、并使用触发器的输出来开关 MOSFET。

    下面是一个有关我的意思的粗略示例