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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/997540/bq25731-bq25731-layout-query
你(们)好
我想使用 BQ25731进行设计。 输入电流非常小、需要将芯片置于 OTG 输出状态和升压模式。 我们希望在 OTG 输出状态下实现最高效率。
对于上述情况、我想知道 RAC 是否可以放置到 C 位置。
正在等待您的回复。
谢谢
星号
尊敬的 Star：
感谢您的联系。 在升压模式下、Q1、Q2、RAC 和输出电容器构成输出高 di/dt 环路、因此最好尽可能减小封闭面积、以实现最高性能(最低 EMI)。 要回答您的问题、是的、实际上最好将 RAC 靠近电容器放置。 该部分中的元件越靠近、电路的电阻损耗就越小。 但是、根据功率级别、我建议在它们之间留出足够的间距、以帮助提高热性能。 有关 BQ25731布局的一些指南位于数据表的第87页： https://www.ti.com/lit/ds/symlink/bq25731.pdf?ts=1619708585665&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.google.com%252F
希望这对您有所帮助、
Peng
感谢您的回复。
我想知道是否可以将 RAC 电阻器 B 的位置与电容器 C 的位置进行交换？ 然后、Q1的输出首先通过输出电容器、然后到达 RAC。
我不建议这样做。 从电流感应和效率的角度来看、即使有好处、我认为 也可以忽略不计。 EVM 是经过测试的设计、因此我建议遵循它。 一般而言、集成度越高、您就越希望参考 EVM。 请参考 EVM。
谢谢、 Peng *如果我的答案解决了您的问题，请在主题中按“此已解决的我的问题”。
