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[参考译文] LM5160:LM5160评估板(LM5160DNTFBKEVM)困难

Guru**** 2385230 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5160DNTFBKEVM, LM5160
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/995644/lm5160-lm5160-eval-board-lm5160dntfbkevm-difficulties

器件型号:LM5160

是否有人对 LM5160评估板 LM5160DNTFBKEVM 有任何疑问?

使用 LM5160计算器电子表格、我修改了以下组件以对我的预期应用进行建模:

R4 -> 170kΩ Ω(用于设置纹波电压反馈)。

R7 -> 160kΩ Ω(将开关频率设置为300kHz)。

R8 -> 2.7kΩ Ω(将初级输出电压设置为~4.7V)。

100μH -> 1:1、2 μ H 耦合电感器(744877101)。

问题是次级/隔离式输出上的负载调节性能极差:

负载电阻 目标负载@ 4.3V 测量的 Vprim 测量的 VSEC
1MΩ μ A 0mA 4.73伏 5.2V
30Ω μ A 145mA 4.73伏 2.12V
16Ω μ A 270mA 4.74V 1.41V
9Ω μ A 480mA 4.73伏 0.82V
6Ω μ A 700mA 4.72伏 0.66V

有人可以提出建议吗? 由于初级侧调节良好、我对变压器很怀疑、但我看不到任何违反设计准则的情况。

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    Matthew、

    我的第一个想法是漏电感。 请参阅 本文中的图4。 我找不到您的耦合电感的漏电感、但如果您有此信息、请告诉我。 同时、我将更深入地了解我是否可以发现其他可能的问题。

    Sam

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    e2e.ti.com/.../LM5160.TSC

    感谢 Sam 的回答。 我阅读了您链接的文章、这很有帮助、但鉴于文章重点介绍了高占空比下面临的挑战、并且我的应用将产生15-20%的占空比、在这种情况下是否适用?

    我尝试通过焊接一个短距离和测量电感来测量变压器的泄漏、我的 LCR 表的读数为61uH、在100uH 耦合电感器(?)上、这对我来说似乎非常高。

    我还使用该泄漏值运行了一些仿真、其结果确实与实验测量结果相当相似。 不过、我的担心是、当我在完全没有漏电感的情况下运行仿真时、次级侧的负载调节仍然不是很好(随附了 TINA 文件以供参考)。

    Matthew

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    Matthew、

    您对较低的占空比是正确的、但这会导致大量泄漏。 二次侧的短路有多好?

    有助于 跟踪的摘要:

    EVM -> Matthew

    VOUT_PRI:8V -> 4.7V

    Fsw:300kHz -> 300kHz

    匝数比:1.5:1 -> 1:1

    R4纹波:51k -> 170k (可能太大。 可能更像80k)

    L_Leakage:0.6uH -> 61uH (双重检查。 如果为 true,则可能是问题所在)

    Sam

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    Matthew、

    我没有回听过。 我将在它锁定之前关闭该线程。 如果仍有问题、请随时再次发帖。

    Sam