我想设计 一个在 输入=+12V 时满足-55V/1.4A 输出的反相降压升压转换器。
我使用 Webench 进行此设计、并选择了 LM5088和 LM5116。 我已经尝试过两 个 IC、但都失败了。
我想知道其他 IC 是否能够实现?
此致、
Min Lin
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我想设计 一个在 输入=+12V 时满足-55V/1.4A 输出的反相降压升压转换器。
我使用 Webench 进行此设计、并选择了 LM5088和 LM5116。 我已经尝试过两 个 IC、但都失败了。
我想知道其他 IC 是否能够实现?
此致、
Min Lin
尊敬的 TM:
LM5088和 LM5116 PDF、如下所示
e2e.ti.com/.../2671.LM5088.pdfe2e.ti.com/.../8284.LM5116.pdf
此致、
Min Lin
您好、Min、
LM5088 75V 控制器无需150V FET。 实际上、它的栅极电压米勒平坦区为6V、对于 LM5088的7.8V 栅极驱动振幅而言、这是很高的(意味着过驱极少、尤其是在寒冷条件下)。 100V FET (例如 CSD19534Q5A)和100V 二极管应该正常工作。
此外、具有10k RT 电阻器的 Fsw 为~550kHz、对于此77W 设计而言、这是真正的高频率。 6m Ω 分流器可设置非常高的电流限值(120mV CS 阈值)、因此请检查电感器是否未饱和。 满载时的输入电流将为~7A、因此电感器电流约为1.4A + 7A。 最后、确保输入滤波器良好阻尼(使用电解电容器)。
此致、
Tim
LM5116设计也有类似的注意事项。 电流限制似乎远高于电感器额定电流。
2 x 470uF 时的输出电容很大、很难在-55V 时启动。 此外、引导电容器应为100nF、而不是1nF。 在 FET 上使用2.2uF 陶瓷电容(从 VIN 到-VOUT)、因为这可为 FET 提供开关电流并最大限度降低电源环路寄生电感。
更改了低侧的 CSD19534Q5A FET 以减少350kHz (=Vin * Qr* fsw)时的 Qrr 损耗。
此致、
Tim
您好、Tim、
我更改了另一个 LM5116并测试了电路、Vout 变为大约-14V。
我还更改了分压电阻器组合(24.9K 和1.21K)、其工作原理与我预期的 Vout =-25V 一样、尽管它很快就会失败、这似乎是电感器过热或 饱和、从而导致 Vout 下降至-17V。
这两个实验让我认为这是一个占空比问题。 LM5116无法像 我要求的那样以高占空比工作 ?
此致、
Min Lin
您好、Min、
IBB 的占空比为 D = Vout/(Vin + Vout) = 55V/(12V + 55V) = 82%。 请 确保占空比不违反所选开关频率对应的控制器 TOF-MIN 限制(LM5116的 TOF-MIN 典型值为450ns、最大值为580ns)-请参阅 LM5116数据表 EC 表中的 Tho (OFF)参数。 此外、您还可以验证 电感器的额定电流是否足够(IBB 的直流电感器电流 为 Iin + Iout、在给定功率级别下非常高)。
此致、
Tim