[参考译文] LM25101：LM25101

您好 Qu、

如果 VDD 上升、通过自举二极管为 HB 电容器充电、则有一条从 VDD 到 HB 的电流路径为自举电容器充电。 如果 HS 引脚即使在连接 MOSFET 时也具有高电阻、则通过 HB 到 HB 电容器的充电电流将使 HS 引脚升高。

当 LO 驱动器输出打开且低侧 FET 将 HS 引脚接地时、HB 电容器通常完全充电。 这种行为是预期的、移除 MOSFET 后、HS 将不会 有接地路径。

您可以尝试连接 MOSFET 并应用 VDD 和驱动器输入、以确认 HS 引脚切换至接地、HO 输出开始工作。

确认这是否能解决您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。

此致、

您好 Qu、

我不知道 TI 提供的任何半桥驱动器、也不知道有任何源极不会通过自举二极管从 VDD 提供电流路径、从而使用自举浮动偏置电路为 HB 电容充电。

您确认的从 HS 到接地的电阻是否可行？

在 MOSFET 半桥配置中、您需要 HS 为高阻抗、而在接地端则需要 HS 而不进行低侧 FET 开关、这一点并不清楚。 您能否解释一下您在应用中为什么需要此功能？

此致、

您好 Qu、

我没有尝试取下 HB 帽来确认您的发现、但这并不是一个很大的惊喜。 当 HB-HS 具有电压电势时、有一个从 HB 流向 HS 的内部静态电流、这是一个浮动驱动器接地基准。 如果电阻非常高、这也会是一个可以提高 HS 的路径。

如前所述、半桥驱动器中的所有浮动高侧驱动器通常都使用自举电源、并且会有一些静态电流流入 HB 至 HS。 唯一的选择是具有专用的浮动偏置、例如使用 TI 的 SN6501变压器驱动器。

HS 上的一些下拉电阻是否不是可选的？ 尽管我看到您提到这是用于同步降压且您希望禁用输出、但您提到的同步降压的输出最小负载是否大于10k 欧姆可以解决此问题？

此致、

您好 Qu、

在您的特定情况下、当您的输出负载条件看起来会导致 HS 节点上的电阻非常高时、听起来您必须考虑高侧驱动器的 IC 静态电流。

我们没有听到同步降压稳压器存在这种类型的问题、因为我认为在几乎所有情况下、降压输出上都可能存在一些电阻。

此致、

您好 Qu、

TI 产品包括大量具有集成 FET 和特定控制器的同步降压解决方案以及面向该市场的驱动器。

这些器件、同步降压控制器、 不在我的覆盖范围内。 同步降压解决方案很有可能解决您对 LM25101驱动器的担忧。  

此致、