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[参考译文] LM5116：LM5116 IC 故障

admin
Guru**** 2768235 points

Other Parts Discussed in Thread: LM5116

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1003090/lm5116-lm5116-ic-failure

器件型号：LM5116

你(们)好  

作为上一个查询的继续

"我们在产品设计中使用了 LM5116 PMIC、可通过60V 的最大输入输出14.4V/3A。  

PMIC 在输出0V 的故障模式下反复出现故障。 当调试引脚 HB、HO、SW 阻抗时、始终发现阻抗较低[某些情况下会对 GND 电位短路]"

我们有部分发生故障的 LM5116 IC 的波形[发现 HB 和 SW 引脚的阻抗低于预期值]

测得的所有信号均在 wrt board GND 电势[14.4V 稳压输出、VIN、VCC、SW 节点引脚]

附加了波形。

请恢复 可能的故障模式

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    TI__Guru**** 2768235 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Mutum、

    请为此设计发送原理图、布局和完整的 LM5116快速入门文件。 此外、什么是 MOSFET 器件型号？

    此致、

    Tim

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    TI__Guru**** 2768235 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Timothy、

    请查找随附的 Sch、布局和快速启动文件。

    MOSFET MPN -SUD80460E-GE3

    e2e.ti.com/.../8080.LM5116_5F00_quickstart_5F00_shared.xlsx

    2L PCB
    底层布局：IC 和外设

    顶部布局：电感器

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    TI__Guru**** 2768235 points
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    您好、Mutum、

    该 MOSFET 具有非常高的 Qrr、可能会产生噪声开关波形。 无需150V FET 即可实现60V 最大输入电压。 此外、输入电容器应靠近 FET (有关更多详细信息、请参阅应用手册 snva803)。 高侧栅极走线也有点长和窄。

    您能否在60V 输入电压和满载时发送 SW 和栅极驱动电压波形(HO 减去 SW 是高侧栅极)？

    此致、

    Tim

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    TI__Guru**** 2768235 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你(们)好

     所选 MOSFET 的 Qg 非常低。

    输入电容器放置在 MOSFET 附近(下图中突出显示的圆圈是输入电容器和 FET 的位置)

    以下是正常负载下的栅极、SW 节点波形(所有信号都接地电势)

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    TI__Guru**** 2768235 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Mutum、

    VCCX 应由足够高的电压供电以驱动 FET (5V 不够)。 栅极驱动振幅应至少比 FET 的米勒平坦区高2V。

    最好将功率级放在一层上、以避免过孔电感产生影响。 此外、由于控制器与 FET 的距离有点远、请检查栅极布线 HO 和 SW 是否布置为差分对。 最后、您可以将引导电容器减小到0.1-0.22uF (VCC 电容器应是引导电容器的5-10倍、这样 VCC 轨在引导电容器最初在启动时充电时不会过度放电)。

    此致、

    Tim