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[参考译文] LM5117：LM5117无负载输出电压问题

admin
Guru**** 2379800 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5117, CSD18563Q5A
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/996384/lm5117-lm5117-no-load-output-voltage-is-issue

器件型号：LM5117
主题中讨论的其他器件： CSD18563Q5A

       我使用 LM5117设计了两个输出、输入电压25~40V、输出1为12V/10A、  输出2为22V/4A、输出1正常、但输出2在无负载情况下小于22V、在有负载情况下正常。 它们位于同一电路板上 、频率相同。

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    TI__Guru**** 2379800 points
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    您好！

    请发送22V/4A 设计的原理图和完整的快速入门计算器文件。 PCB 布局是否相同？ 二极管仿真模式如何-是启用还是禁用？

    此致、

    Tim

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    TI__Guru**** 2379800 points
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    它们是相同的 PCB 布局、 电路板上频率相同的两个 IC 之间会分散注意力。 快速恢复二极管已更改、只有空载问题且负载正常。

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    TI__Guru**** 2379800 points
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    DEMB 在这里断开、因此由内部50k 电阻器拉低至 GND、这意味着二极管仿真模式。 尝试将 DEMB 连接到 VCC (以实现恒定频率 FPWM 操作)。 我怀疑在二极管乳化剂模式下工作时、如果在空载时出现极少的脉冲、引导电容器很难在较高的 VOUT 设置下再充电。 这取决于引导二极管和引导电容器-您可以将引导电容器从470nF 降低到100nF、以便在 SW 电压较低时在内部的低侧 FET 导通期间快速充电。

    此外、请注意、NCE6080是一款具有超高电容和栅极电荷(Vgs =7.6V 时 Qg = 70nC)的旧技术 FET。 这意味着来自 VCC 的直流栅极驱动电流为 Igate = Qg*Fsw = 225kHz*70nC = 16mA。 两个 FET 的电流为32mA、加上4.8mA 的 IC 静态电流、使总电流非常接近42mA 的 VCC 电流限值(并且远高于30mA 的最小规格)。 对于此22V/4A 设计、建议使用效率更高且 Qg 更低的5 x 6mm FET、例如 CSD18563Q5A。

    此致、

    Tim