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[参考译文] UCC21540A-Q1：3个驱动器 IC 的通用电源

admin
Guru**** 1637200 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1004741/ucc21540a-q1-common-supply-for-3-driver-ics

器件型号：UCC21540A-Q1

您好、先生、
我们计划在 电机驱动应用中使用 UCC21540AQDWKRQ1驱动器 IC 来驱动电机驱动应用中三相逆变器同一桥臂中的高侧和低侧 FET。 由于有3个此类桥臂、我们计划使用3个此类驱动器 IC。 我们能否为所有三个 IC 提供通用高侧电源、还是应该为3个 IC 分别提供3个电源？

我们还能为 VDDA 和 VDDB 使用相同的电源吗？

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    TI__Guru**** 1637200 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Harish、  

    可以通过两种方法来实现这一目的。  

    1 -您可以为每个通道配备专用电源。 请务必注意、对于 HS 驱动器、此电源必须能够浮动。  

    2 -您可以实现自举电路、以帮助您为 HS 驱动器创建偏置。 为了向您提供更多信息、我在这里附上了两份文档。 第一个文档是有关自举电路设计的完整文档。 我建议您阅读本文档、因为您的电路的这一部分非常重要。 第二个文档是一个计算器、它将帮助您根据电路信息为自举上的电容器和电阻器进行设计。   

    https://www.ti.com/lit/an/slua887/slua887.pdf?ts=1622124850475&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.google.com%252F

    https://www.ti.com/lit/zip/sluraz5

    非常感谢您的联系、如果您有任何疑问、请告诉我。 如果这解决了您的问题、请告知我们。  

    最好  

    弗朗西斯科·劳祖里克  

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    TI__Guru**** 1637200 points
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    感谢您的回复、先生、
    好的、我想用自举电路为 VDDA 和 VDDB 使用单电源。
    我可以为3个 IC 使用相同的电源来驱动3个桥臂中的6个 FET 吗？

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    TI__Guru**** 1637200 points
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    您好 Harish、  

    您可以为每个半桥使用一个驱动器。 您需要根据所驱动的器件确保驱动器功能足够。 在我们的数据表中、有一些示例应用将逐步进行计算。  

    请告诉我们这是否能解答您的问题。  

    最好  

    弗朗西斯科·劳祖里克  

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    TI__Guru**** 1637200 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    是的、先生、我们将3个驱动器用于3个半桥。 我的问题是、我们是否可以为全部3个器件使用相同的输出电源 VDD？

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    TI__Guru**** 1637200 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Harish、  

    如果每个周期中的所有接地电压相同、那么是的、您可以为所有 LS 使用相同的电源。 但是、您应该确保自举为完全充电或足够的电荷、以便能够打开 HS 器件。 您的架构的占空比会受到限制。  

    请告诉我这是否能解答您的问题。   

    最好  

    弗朗西斯科·劳祖里克  

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    TI__Guru**** 1637200 points
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    是的、SIR 所有接地电压都相同。 因此、这意味着我可以为 VDDA、由3个驱动器组成的 VDDB 提供一个电源、以驱动三相逆变器电路的6个 FET (3个高电平和3个低电平)、并且我应该为3个高侧 FET 提供自举电路。 我对先生是正确的吗？

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    TI__Guru**** 1637200 points
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    您好 Harish、

    没错。 如果每个周期中的所有接地电压相同、则同一电源可用于自举配置中的所有三个半桥栅极驱动器 IC。 需要对自举电路进行微调、以确保自举电容器获得足够的电荷以导通 HS (高侧) FET。

    请参阅上述应用手册和计算器、以帮助完成设计过程。

    此致、

    Andy Robles