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[参考译文] BQ25505:无负载时的电容器放电率或放电电流。 用于冷启动的电源

Guru**** 2386620 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25505
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1002310/bq25505-capacitor-discharge-rate-or-discharging-current-with-no-load-power-for-cold-start

器件型号:BQ25505

此问题涉及 BQ25505EVM。 我一直在尝试使用此板从50uW、100kOhm 的电源收集功率。 然而、测量似乎表明电路板需要比标称值(~3.5mA 和1.4mW)更多的电流和功率才能达到 VSTOR=1.8V。 因此、我一直在研究无负载的板载电容器的放电率(仅使用1MEG 示波器测量电压)。 我注意到电容器放电非常快、VSTOR 在45秒内从4V 变为2V、这相当于峰值放电电流(计算值)为10.9uA。 。 您对此有什么意见吗? 我是否会做出错误的假设、或者建议对该任务进行更好的设置? 目前、我正在寻找 IC 过大电流要求的解释、尽管我知道不太可能将其用于我的应用。

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    尊敬的 Juan:

    遗憾的是、我们没有完全表征冷启动最小功率。  源的最小输入电压需要为600mV。  关于升压充电模式下的放电电流、我无法解释放电。  该充电器由 IQ~=350nA 的 VSTOR 供电、但会定期在 VRDIV 处连接10Mohm 反馈电阻器。  VSTOR 和 VBAT 之间的 PFET 是否导通以便100uF 放电至 VSTOR、或者 PFET 是否关断、以便仅 VSTOR 上的4.7uF 电容器放电?

    此致、

    Jeff

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    是的、 100uF 电容器放电至 VSTOR。

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    胡安

    当我 在工作台上使用 VIN_DC 悬空的 EVM 和 VBAT=VSTOR 上的4.0V Keithley 源表时、我只会看到从源表到器件的平均泄漏电流大约为450nA。  因此、当 i=c*dv/dt 时、100uF 电容器应保持444分钟。  当我移除源表并使用 示波器探针在 VSTOR 和 VBAT 上测量 VSTOR 和 VBAT 时、我在 开始时增加了4V/10兆 欧= 0.4uA*2=0.8uA 的泄漏、但这会减少。   从数学上讲、我预计会有160秒、但由于  通过示波器探头以及器件的泄漏降低、我看到200秒从4V 变为2V。  注意: 如果 BAT_SEC 上的泄漏电流较高、但没有太大影响、我移除了该100uF 陶瓷电容器。

    关于冷启动、我还测试了15uW 的典型冷启动功率是否合理。  因此、将 Keithley 设置为600mV 时、我提高 了电流顺从性、直到 VSTOR 没有其他负载时 VSTOR 达到1.9V、 VBAT 仅为100uF。   SourceMeter 需要大约22uA 的电流、即600mV*22uA = 13.2uW。

    此致、

    Jeff

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    尊敬的 Jeff:

    感谢您抽出宝贵的时间参与本次活动、我非常感谢您的参与。 我可以同意第一组测量。 您的设置看起来比我的设置更准确、我使用此方法从 SMU 测得的值大约为450nA。

    关于冷启动、我的 Keithley 在3mA 时达到合规性、但 VSTOR 仅为1.56V。 我只等了几秒钟电容器充电、但我认为这已经足够了。 此外、我使用1Mohm 的示波器探头测量了 VSTOR、但影响应最小。 我必须指出、测得的电压仅为0.38V (即使它设置为0.6V)、但这是因为 EVM 消耗的电流太大、达到合规性、从而限制了电压(这是否合理?)。 EVM 的跳线设置为/EN-GND 和 VOC_SAMP-80%。 您认为 EVM 可能存在问题吗?

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    胡安

    冷启动电路实际上会在运行时规划输入电压、因此预计在施加0.6V 电压的情况下会出现0.38V 的电压。  在冷启动时、跳线无关紧要。  冷启动电荷泵效率很低。  电容器充电可能需要几分钟时间。  我花了大约5分钟。

    此致、

    Jeff

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    再次感谢 Jeff。 这似乎是合理的、但即使在超过30分钟(和~24h 充电)后、我的电路板也不会以25uA 的电流开始。 此时、我放弃了使用 BQ25505。