[参考译文] TL494：死区时间

Ishiwata、您好！

感谢您通过 E2E 进行连接。 您的问题答案如下：

(1)
请告诉我下面方框图中0.1V 死区时间控制比较器的变化。
此外、PWM 比较器的0.7V 变化是多少？

• 您突出显示的方框图中显示的失调电压不是测量的测试参数、也不能指定总变化。 它们不会像带隙基准那样针对精度进行修整。 安全估计值可能为+/-10%。

(2)
9.3.3请告诉我有关死区时间控制的描述。
' 110mV 的内部失调电压可确保死区时间控制输入接地时的最小死区时间为~ 3%。'
尽管如此描述、但据报告、当客户进行测量时、该值大约为10%。
死区时间为何为10%？

• 当 DTC 输入连接到 GND 时、内部~100mV 偏移可确保~3%的最小死区时间。 根据您在上一个问题中询问的失调电压的一些变化、该值可能大于3%。 DTC 引脚如何连接到 GND 也很重要。 如果 DTC 通过 PCB 直接连接到安静的数字 GND、这是您可以预期的最佳结果、并将得到最接近~3% DT 的结果。 如果 GND 存在噪声、DTC 检测到的平均电压可能比 GND 高 mV。 如果 DTC 引脚通过外部 NMOS、NPN 或比较器被主动拉至 GND、则在活动状态期间、DTC 上仍会出现一些偏移电压、这也会导致数据表中规定的最小 DT 大于~3%。

此致、

Steve M

Ishiwata、

0.57V 看起来很高、DTC 引脚电压看起来像绝对 GND。 尝试增大 CT 和减小 RT (保持相同的频率)以降低斜坡信号的下斜率。 测量并与您提供的波形进行比较。 这些波形是从真实电路还是仿真文件中获取的？

此致、

Steve M

Ishiwata、

TL494数据表中给出的振荡器参数的额定值为 RT=12 kΩ、CT=10nF、Fosc=10kHz！ 您的 kΩ 已针对 RT=5.7 μ s、CT=1nF 和 Fosc~180kHz 对振荡器进行了编程。  我想当 我们将 CT 从1nF 更改为10nF 以匹配数据表时、我们可以看到对最小 DT 的影响。 kΩ、 Ω 将 Ω 从5.7k Ω 更改为 RT=280 μ A、但在 RT=280 μ A 时、I_CHARE=10.7mA、这对于内部振荡器来说太高了。

根据、客户编程的振荡器频率不在图表中：

尽管数据表指定了建议的最大 Fosc=300kHz、但对于单端操作或双端操作而言、最有可能出现这种情况、但对 DT 没有任何确定性。 我不确定您的客户感兴趣的其他哪些功能、或者它们是否对备用控制器开放、但下面是 具有可编程死区时间功能的 TI 推挽控制器的参数筛选列表。 任何 UCC、BiCMOS 控制器都将更适合精确 DT 控制和更高频率操作。

此致、

Steve M