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[参考译文] LM5116：LM5116空载情况

admin
Guru**** 2382300 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5116, CSD19534Q5A
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1001726/lm5116-lm5116-no-load-situation

器件型号：LM5116
主题中讨论的其他器件： CSD19534Q5A

尊敬的先生：

当我使用 Lm5116 IC 时、我发现如果没有负载、电压将直接从24V I 预设下降到大约3.6V、但在有负载时是正常的。

在观察过程中、发现电感器具有反向电流、导致高侧 二极管导通和低侧关断。 此时、自举电容器 和输出无法充电

缓慢变为3.6V。  但我不知道造成这种情况的原因是什么。

VIN=30-60V

VOUT=24/2A

FSW=200k Hz

e2e.ti.com/.../LM5116-Circuit_2D00_Dylan.pdf

当我尝试将低侧电阻器从33欧姆更改为0欧姆时、输出24V 不会下降。

此致、

迪伦

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    TI__Guru**** 2382300 points
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    您好！Dylan、

    低侧栅极电阻应为0欧姆。 此外、您还可以将引导电容器降低至100nF、以便在轻负载时更轻松地刷新其电压。

    此致、

    Tim

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    TI__Guru**** 2382300 points
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    这种情况是否是由 CHB 无法完全放电造成的？

  • 0
    TI__Guru**** 2382300 points
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    我 已经尝试移除低侧仅有二极管的电阻、同样的情况也会发生。

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    较低的值应使引导电容器更容易充电。

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    您好、Timothy、

    感谢您的回复。

    1.我更换了100nF 、但情况仍然一样。
    2.我 还使用差分探头测量 VHB-VSW、初始电压稳定、直到输出电压开始下降、VHB-VSW 电压也降低了...

    3. 我也尝试移除低侧 Rg 电阻、将会发生同样的情况。

    此致、

    迪伦

  • 0
    TI__Guru**** 2382300 points
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    您好、Chen、

    请发送 MOSFET 器件型号。 具体而言、检查栅极电压米勒平坦区、因为它应该小于4V (这由栅极电荷与栅极电压曲线中的平坦电平表示)。 请注意、在启动期间、在从 VOUT 转换到 VCCx 期间、栅极驱动器将以4.5V 的转换阈值运行、这可能不足以用于 MOSFET。

    此外、请发送一个完整的 LM5116快速入门计算器、以便我们可以查看补偿等

    此致、

    Tim

  • 0
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    您好、Timothy、

    BSC160N15S5

    e2e.ti.com/.../Infineon_2D00_BSC160N15NS5_2D00_DataSheet_2D00_v02_5F00_03_2D00_EN.pdf

    BR

    迪伦

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    TI__Guru**** 2382300 points
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    您好！Dylan、

    该 MOSFET 具有6V 米勒平坦区(请参阅数据表中的图14)。 这种情况非常高、主要是因为这是150V FET (通常不需要选择比控制器额定电压更高的 FET)。 您能不能尝试米勒平坦区小于4V 的100V FET (例如 CSD19534Q5A)。 此外、请注意、在从内部 VCC 转换到12V 电源期间、VCC 电压会在启动时下拉至4.5V 转换阈值。

    此致、

    Tim

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    您好、Timothy、

    感谢您今天的跟踪和建议、我将尝试。

    此致、

    迪伦

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    谢谢、迪伦。

    --

    Tim