您好、Matt、
如果我将芯片设置为深度睡眠模式、充电操作将使 LD 成为上升钳位、并使芯片进入正常模式、对吧?
是否有任何信号指示此模式传输(深度睡眠->正常)? 我需要一个信号来告诉 MCU 芯片已进入正常模式。
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您好、Matt、
如果我将芯片设置为深度睡眠模式、充电操作将使 LD 成为上升钳位、并使芯片进入正常模式、对吧?
是否有任何信号指示此模式传输(深度睡眠->正常)? 我需要一个信号来告诉 MCU 芯片已进入正常模式。
您好 Sean、
是的、没错。 在深度睡眠模式中、可以禁用 LDO (也可以将其设置为保持开启状态)。 向 MCU 发送信号的一个想法-也许您可以设置默认警报屏蔽寄存器中的[WAKE]位并配置警报引脚。 在发送命令以进入深度睡眠模式之前,请发送 SLEEP_DISABLE()命令。 然后、当器件退出深度睡眠模式时、它将转换到正常模式、并且警报引脚将变为高电平。
此致、
Matt
您好 Sean、
如果从深度睡眠模式转换到睡眠模式、则退出深度睡眠模式不会导致 WAKE ALARM 位触发。 这就是为什么我建议 在进入 DeepSleep 之前发送 sleep_disable()命令的想法。
该器件将启用 CHG/DSG FET、但存在一些延迟时间。 TRM 说:"当器件退出深度睡眠模式时、它首先完成一个完整的测量环路、并评估与启用的保护相关的条件、以确保条件可接受以继续进入正常模式。 这可能需要≈250ms 加上测量环路完成的时间。"
在深度睡眠模式下、RAM 设置保持不变、因此如果在进入深度睡眠模式之前启用 CHG/DSG、则应在退出后启用它们。
此致、
Matt