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您好！
在使用外部 FET 进行电池平衡时、建议使用什么 Rbias 电阻器值和 Rgate 值？
您好 Howard、
Rbias 的值取决于外部 FET 的导通阈值电压、其中 Ibias 电流乘以 Rbias 需要生成 Vgate-source > Vth 才能使 FET 导通。 例如、如果您将 Ibias 电流设置为10mA、则200欧姆的 Rbias 电阻将使 Vgs = 2V。 如果使用的外部 FET 具有1.8V 阈值电压、这就足以打开 FET。
Rgate 和 Cgate 是可选的、它们决定了外部 FET 导通/关断延时时间延迟、具体取决于 foldmula：T_delay = 2* Pi * Rgate * Cgate。
此致、
维克托。
