This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1001003/bq25713-could-we-increase-gate-driver-ability
大家好、
我们是否可以通过更改充电器设置来提高栅极驱动器功能？ 据我所知、我们可以增大自举电容值(47nF→100F)。 它可以降低 Vgs 的导通/关断。 但它仅适用于 HIDRV 信号。 我是对的吗？
对于 LODRV、您是否有任何降低 Ton 和 Toff 的想法？ 谢谢你。
此致、
哈迪
您好、Hardy、
感谢您的联系。 不能更改 BQ25713的内部栅极驱动强度。 为了缩短开通和关断时间、我建议从 MOSFET 侧优化功率级(查找具有低 Qg 或栅极电荷的 MOSFET)。 希望这对您有所帮助、 Peng *如果我的答案解决了您的问题，请在主题中按“此已解决的我的问题”。
尊敬的 Peng：
明白了。 感谢您的回复。
