[参考译文] CSD18563Q5A：SOA 测量条件

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/998379/csd18563q5a-soa-measurement-condition

器件型号：CSD18563Q5A

您好！

我观看了 Brett Barr 的几个 TI 培训视频和博客文章。他对这个概念解释的很清楚、很有帮助。
Brett 提到、所有较新的 TI MOSFET SOA 曲线都基于测量数据、但他没有对测量条件说任何话、我在数据表中找不到相关信息。

您是否会解释测量条件是什么？我需要的是冷却方法、铜的尺寸和重量、RthJA 等

以 CSD18563Q5A 为例、从下面的 SOA 曲线可以看到单个脉冲的直流线路是什么？是否超过100ms？还是真正的直流功率耗散？对于直流曲线、我发现很难相信该器件能够在没有充分冷却的情况下持续耗散30W 功率。

非常感谢

4 年多前

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2379800 points

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您好、Hong、

感谢您关注 TI FET。你是对的。直流线实际上是100ms 的脉冲宽度。在尺寸最小的双面 DUT 卡上进行了测试、与下图类似、在以下 VDS 值下进行了测试：3V、5V、8V、12V、20V、 30V、45V 和60V。我认为铜厚度为1oz。

此致、

John Wallace

TI FET 应用

e2e.ti.com/.../DUT_5F00_2x2_5F00_SON.pdf

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2379800 points

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尊敬的 John：

非常感谢您提供的信息。这很有帮助。您能否向我申请将来将此类信息添加到数据表中？我知道这不会一蹴而就、但我希望它最终会被添加。有一些有用的脚注、其中包含 PCB 铜尺寸和重量详细信息、用于在数据表中指定漏极电流限制。在数据表中提供有关 SOA 测量条件的类似信息非常有意义。

对于 CSD18563Q5A、SOA 测量期间是否涉及冷却？我提出这一问题的原因是、在最小占用空间的情况下、数据表列出了125C/W RthJA、假设环境温度为25°C、30W (30V VDS 和1A 漏极)功耗将结温提高到3775C 并持续100ms。这是一个令人难以置信的数字。我觉得我不理解这项权利。这里还有其他因素吗？比如热电容？由于热电容、热性能未达到稳定状态？或者、当脉冲持续时间足够短时、结温不仅仅是热阻和功率耗散的函数？

非常感谢

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2379800 points

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您好、Hong、

我们将研究向数据表中添加此信息的可能性。我不知道 SOA 测试期间是否有强制气流、我正在与一位更密切参与这些器件 SOA 测试的同事进行核实。与脉冲宽度相比、从结点到环境的热时间常数可能相对较长。使用1.3C/W 的结至外壳热阻抗、外壳的结温上升为30W x 1.3C/W = 30.9C。为了保持 TJ < TJmax (150C)、外壳温度实际上可能高达119C。即使如此、如果器件在非常短的时间内以 TJmax 或甚至明显高于 TJmax 运行、则器件可能不会发生故障。在实际测试中、故障电流远高于1A。我想我说不要将 RthetaJA 作为"DC"值、因为它涉及时间常数。这种类型的 FET 封装能够非常有效地将硅片上的热量传递到外壳上的散热焊盘。更严格的方法是进行热仿真、这超出了本讨论的范围。当我获得更多信息时、我会向您更新。

此致、

John

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