[参考译文] TPS43060：内部 VCC 负载

VCC 波形

你(们)好

感谢您发帖。 如果从 LDRV 到 GND 只读21欧姆电阻、则表示 IC 已损坏。  很抱歉、无法打开您的电路的链接。  您能否重新发布您的原理图？

谢谢、

应用工程学 Yohao Xi

您好！

请在下面找到相应的扣合。 但我认为它不易辨认、请告诉我您的电子邮件 ID、我会将其发送给您。

谢谢、我可以阅读原理图。  我将学习这个内容、并在明天的时区通过 COB 返回给您。

谢谢、

Youhao

您好！

我研究了您的原理图、没有明显的问题可以解释这个问题、只是自举二极管似乎不是合适 的选择。  首先、对于自举二极管、您不需要 SMB 尺寸的3A 二极管、其次、该二极管的泄漏电流过大、可能会对 VCC 引脚造成过载。  

您能否在同一有问题的电路板上检查自举二极管、并在最高环境温度下检查二极管的泄漏电流？

谢谢、

Youhao

您好、Xi、

我将测量 VCC 串联电阻器上的压降、以了解在最高环境下二极管的反向泄漏电流。 我的问题是、故障发生在室温下、并且所选二极管在结温125度下的泄漏电流可能约为1mA、它是否仍会加载 VCC？

您好、Ashwini、

我担心的是 VCC 引脚上的过电压可能会使 VCC 过载。  负载似乎不是一个大问题。  由于 VCC 本身由内部 LDO 生成、因此它不会对 VCC 引脚施加过载。  但是、外部电路可以。  引导二极管是我们需要检查的一个因素。  请检查损坏电路板上的二极管。

谢谢、

Youhao

您好！

损坏的电路板根本不显示任何内容未驱动高侧 MOSFET、因此不会发生自举。

此外、我们还发现、添加 Rcharge 电阻器(与自举二极管串联)有助于正常电路板上的 VCC、在输出端消耗2A 的满电流时、似乎不再加载。

但是、数据表、应用手册或 EVM 并未详细说明电阻器的值、尺寸和封装选择！

您是否有关于如何选择值和封装的任何文献？

电阻器选择取决于您选择的高侧 MOSFET。 它基本上是一个 RC 充电电路、重复为升压电容器充电、以替换每个周期的高侧 FET 的栅极电荷。 让我与同事核实是否有任何文献或应用手册可供分享。   我将在下一个星期三返回给您。

我还检查了您的 MOSFET 选择、它具有过多的栅极电荷、不适合您的24V@2A 负载应用。 它消耗的驱动器功率太大。  您应该选择额定电压为30V 或40V 的 MOSFET、其 Rdson 和栅极电荷要小得多、以获得更好的性能。   

谢谢、

Youhao

您好、Youhao、

感谢您的输入。 我重新检查了 MOSFET 参数、看起来对于24V、2A 应用而言、73nC 过高。

建议的范围是多少？ 在 Rds-on 和 Qg (tot)之间的平衡基础上进行滤波、我们了解了以下选项：

BSZ070N08LS5ATMA1

NVD5C464NT4G

RD3G400GNTL

我们了解到、我们必须根据新的 MOSFET 选择 Qg 和预期的纹波来更改启动电容器。

让我了解有关 Rcharge 值和封装选择的文献

此致

Ashwini

您好、Youhao、

谢谢！ 我将会看一下。

对 MOSFET 选择有什么看法？

此致

Ashwini Singh

您好、Youhao、

即使在正常的电路板上、也可以观察到、当电路负载为2A 时、内部 VCC 从7.5V 降至6.3V。 我们怀疑它仅由 MOSFET 导致、但在我们接收 MOSFET 之前无法进行测试。  该电路仍在正常调节电压、但 这是否是 IC 最终可能发生故障的原因之一？

此致

Ashwini

您好、Ashwini、

到目前为止，我们无法得出这样的结论：这是造成损害的原因。  让我们等待您使用新 MOSFET 的结果 、看看我们是否可以获得有关该问题的一些提示。

谢谢、

Youhao