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遗憾的是、我们注意到我们的新 PCB 具有高 EMI。 UCC12050将+5V 从 USB 隔离到其他电路、部分 EMI 将传递到 USB 电缆。 此处的额外滤波可能会有所帮助、但近场探针会在 UCC12040两侧显示许多谐波:
可以采取哪些措施来改进设计? 此布局与 UCC12050EVM-022非常相似、其旁路电容器靠近 UCC12050引脚以最大限度减少环路。 最初的想法是、不同的接地平面可能用作天线、但这似乎是一个错误的假设。
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遗憾的是、我们注意到我们的新 PCB 具有高 EMI。 UCC12050将+5V 从 USB 隔离到其他电路、部分 EMI 将传递到 USB 电缆。 此处的额外滤波可能会有所帮助、但近场探针会在 UCC12040两侧显示许多谐波:
可以采取哪些措施来改进设计? 此布局与 UCC12050EVM-022非常相似、其旁路电容器靠近 UCC12050引脚以最大限度减少环路。 最初的想法是、不同的接地平面可能用作天线、但这似乎是一个错误的假设。
您好、Petri
您提到您正在使用近场探头进行测量,它似乎能够很好地捕捉 n*8MHz 频率下发生的谐波。 这种方法非常适合在认证前筛查中首次通过、但您只能检测由于磁性区域发射而产生的峰值、而不能捕获 E 场贡献。 您是否收到 了 UCC12050EVM-022 、并尝试与您的系统中看到的情况相比测量近场探头辐射? A 与 B 进行比较是一个很好的方法、可以用来衡量系统可能产生的影响(特别是 USB 电缆)。 下一步、您是否尝试运行 CE 扫描? UCC12050EVM-022通过了 CISPR 32 B 类标准、没有 EMI 滤波器组件、如下所示:
此致、
Steve M
感谢你的答复。 不可以 、我手头没有 UCC12050EVM-022、但我将得到一个用于参考。 我在商店里没有合适的商用电场探头、但我所用的探头似乎不是在挑选强信号。 有趣的是、E 和 H 探头在~32MHz 时显示的峰值最高、而不是我所期望的8MHz。 此外、也可以从异常高的信号中找到谐波、例如高达200MHz 的范围。 EMC 实验证实了这一点、该实验检测到相同的峰值超过 EN55032B 限制。
没有层间拼接电容器、但使用4层 PCB 并不难实现。 但是、在尝试缓解该问题时、我在 GNDP 和 GNDS 之间放置了不同的电容、从100pF 到100nF、至少在探测时 H 场没有差异。 我不确定这是否适用于缺少层间拼接电容的有效测试。
Petri、
层间 PCB 缝补电容器仅提供10-20pF 范围内的共模(CM)电容。 您在100pF <C<100nF and saw no difference is concerning. 范围内应用了一个物理电容器 这告诉我、CM 路径在电路中的其他位置更强、因为您直接在您认为是罪魁祸首的来源应用了缓解措施、但没有看到任何变化。 或者、您的测量技术有问题、或者 USB 电缆也可能有问题? 您需要测量 d 与前面提到的 EVM 的比较、并使用适当的设置运行完整的 CE 扫描、以满足您希望通过的任何 EMC 标准。 即使在我在我的响应中提供的 EMI 扫描中、您也可以看到在您提到的区域内测得的谐波、但它们远低于 CISPR 32 B 类限制。 在进行近场测量时、是否有数据传输和电力通过 USB 电缆传输? 您能否移除电缆并将5V 电池应用到 UCC12050输入端以确定电缆影响的基准?
Steve M