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器件型号：TPS51200 DS 中的图24显示了典型应用。 我知道您有 VDDQ、它是 存储器电源电压。
要设置存储器的 VTT、您可以使用 VDDQ 的分压器设置 REFIN 电压、该电压经过缓冲以提供 REFOUT；
我知道高侧 MOSFET 的栅极电压(在 VLDOIN 至 VO 路径中)经过调整、以设置 VO (VTT)= REFOUT。
这种理解是否正确？
在这种情况下、VLDOIN 的唯一电压要求应为：
VO 电压设置+电流感应电阻器上的压降+ MOSFET 的压降= VLDOIN 最低要求。
压降应与 MOSFET 的 RDS (on)和分流电阻以及由 VTT 负载拉取的电流有关。
这种理解是否正确？
如果是、那么 我们是否需要知道 MOSFET 的 RDS (on)和分流电阻才能知道 VLDOIN 的最低电压要求？
如果是、您能否提供这些值？
此致、
Darren
