我设计了一个功率级三相驱动器卡、将 UCC27211用作栅极驱动器。 我已经在受控环境中使用3.3V 电平的函数发生器来驱动 UCC27211的栅极 LI/HI 输入、测试了设置。 从我的示波器实验中可以看出、只有低侧栅极被器件激活。 高侧不驱动高侧 MOSFET 栅极。 自举电路是否存在问题？ 在器件数据表中、我没有发现很多自举电路的建议、但我所做的只是使用不同的自举电容值进行实验、没有成功。 作为参考、我使用的 MOSFET (IPB072N15N3GATMA1)的栅极电荷约为70nC。 我在这里发布了原理图以供参考。 是否有任何关于调试这种情况以及确定高侧驱动器为什么不能按预期工作的建议？
Richard、
感谢您在这里的回复。 我现在明白了。 我将修改我的开关策略、然后看看我是否可以这样切换高侧。 您是否知道将开关节点切换到接地后多长时间、自举电容器将保持电荷并能够切换高侧？
此外、考虑到前面提到的70nC 栅极电荷、并且考虑到我在 VDD 以12V 电压运行、您能否帮助我确认自举电容器的大小？
我看到一个应用手册(SLUA887) 说：
在本例中、我认为这大约是60nF。 0.1uF 是否是一个良好的起点？
大家好、我设法使事情变得更好、现在我正在执行一个互补 PWM 策略、该策略似乎在低速运行电机。 现在、我继续烧毁 C 相 UCC27211驱动器。 我可能已经烧毁了3个驱动器、几乎所有驱动器都处于高速状态。 C 相也是离 UCC27211最远的半桥。
您认为这可能是布局问题吗？ 也许它会将栅极信号距离推得太远。
这是一个2层电路板、来自"其他"电路板的所有信号都出现在左侧的接头上。 如果有用、我也可以在此处共享布局文件。 UCC27211在工作条件下升温和无法工作的最常见原因是什么？
您好 Richard、
我总共有3个故障芯片、我对它们和新芯片进行了一些比较。
遗憾的是、故障芯片之间的一致性不是很高、但与新芯片相比、以下是一些显著的差异：
1故障芯片具有从 HB、HO、HS 到 VSS (GND)的无限电阻、这与新芯片相同。 但是、对于这些引脚、另一个故障芯片分别具有1.16M、8M 和2M。
此外、在新芯片上、HO 到 HS 的测量值约为7.5M、其中一个故障芯片在这里测量的值约为22M。
在新芯片上、HB 到 HS 为0.98M、在其中一个故障芯片上开路
新芯片上的 HS 到 GND 为27M、其中一个故障芯片上为开路、另一个故障芯片上为2.1M
至少有一个故障芯片在 VDD 和 HB 之间的二极管上存在短路。 新芯片的测量值为0.65V、而其他两个故障芯片的测量值为0.65V 和0.58V。
据我所知、我不确定此信息是否为我提供了有关潜在故障模式的确凿证据、但也许您可以提供一些建议。
下面是一些详细信息。 我用新芯片做了一些示波器实验、并在 C 相上获得了这些结果、其中栅极驱动器始终出现故障：
在开关期间无负载探测高侧 MOSFET 栅极至源极：
低侧：
我还在每个上的栅极电阻器之前探测到噪声更大的结果：
高侧驱动器上的尖峰是否似乎是问题的原因？ 它们的电压高于20V、至少在示波器范围内。
我能否在栅极和源极上使用一些齐纳二极管或 TVS 二极管防止出现故障？
最后、以下是负载期间发生的低侧开关示例(电机已连接但功耗较低)：
最后、我想说的是、如果我以低速运行电机、一切看起来都很好、芯片触控效果很好。 当我增加占空比时、芯片似乎开始加热、最终 C 相栅极驱动器似乎是第一个出现故障的驱动器。
在较高负载下运行和出现故障期间、会有什么原因导致大幅升温？ 我假设瞬变会在内部损坏芯片。
如果您想尝试解决此问题、请提供任何建议。
谢谢。
